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用脉冲准分子激光“图形直写”技术制备周期性硅晶粒结构薄膜

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本文报道用气相脉冲KrF(248nm)准分子激光“图形直写”技术晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备周期性硅晶粒结构.实验发现,大小约为2μm的硅晶粒严格按确定的周期分布在样品中,在室温下样品发出红光,谱峰的峰波长位于723nm和750nm.通过改变a-Si薄膜的生长条件,控制晶化过程中激光光束的能量分布和样品中温度场分布,有望制备出晶粒尺寸更小的硅晶粒周期结构.

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来源
《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》|2001年|105-106|共2页
会议地点北京
作者
贺德衍; 程文娟; 贾海军; 谢二庆; 陈学康; 吴敢;
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作者单位

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;晶体的物理性质;
关键词
非晶硅薄膜; 激光晶化; 图形直写; 周期性; 硅晶粒结构;

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