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图形硅衬底-硅锗薄膜复合结构及其制备方法和应用

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摘要

本发明提供一种图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其包括具有图形结构的硅衬底、位于所述硅衬底上的硅锗缓冲层、位于所述硅锗缓冲层上的硅锗/硅超晶格层，以及位于所述硅锗/硅超晶格层上的硅锗薄膜层，其中所述硅锗/硅超晶格层包括交替生长的硅锗层和硅层。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构的制备方法。本发明还提供一种本发明的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构在应变硅器件中的应用。本发明提供的图形硅衬底‑硅锗薄膜复合结构，其穿透位错密度低且表面粗糙度低。基于所述硅锗薄膜层生长的应变硅器件，可有效减少缺陷对载流子的散射，从而提高载流子迁移率。

著录项

  • 公开/公告号CN112382657A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN202011276489.7

  • 发明设计人 张建军;张结印;

    申请日2020-11-16

  • 分类号H01L29/30(20060101);H01L29/161(20060101);H01L29/15(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/205(20060101);

  • 代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭广迅

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2023-06-19 09:55:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-18

    授权

    发明专利权授予

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