非晶硅的瞬态光电导响应及其光致变化

摘要

利用具有良好瞬态响应的EG&G的4400信号检测系统测量了a-Si:H样品的退火态和不同时间曝光后的瞬态光电导的衰减情况.对实验结果的拟合分析表明:有两种陷阱对衰减有贡献;曝光使光生载流子的复合中心增加,寿命减小.比较了不同制备条件的非晶硅薄膜的光致变化情况,证实了高氢稀释的薄膜更加稳定.

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