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非晶硅中的硅氢键与光致亚稳缺陷

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摘要

我们曾经提出:在a-Si∶H中光致亚稳缺陷的产生是由于Si-H键断裂,本文将进一步论述这种缺陷产生的可能微观机构,着重讨论微空洞在亚稳缺陷产生中的作用,并提出:光照不仅使悬键增多,同时也使Si-Si弱键增多的机构.

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来源
《半导体学报》 |1989年第9期|702-705|共4页
作者
秦国刚; 孔光临;
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作者单位

凝聚态和辐射物理中心中国高等科学技术中心(世界实验室)与北京大学物理系;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
非晶硅; 硅氢键; 亚稳缺陷;

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