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外文会议
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Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology
Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology
召开年:
1997
召开地:
San Francisco, CA(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Preparation and properties of hydrogenated amorphous germanium nitride a-GeN_x:H
机译:
氢化非晶氮化锗a-GeN_x:H的制备及性能
作者:
M.Hioki
;
S.Nitta
;
Y.Takeda K.Yamamoto
;
M.Sasaki
;
T.Itoh
;
S.Nonomura
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
2.
Pulsed-laser crystallized highly conductive boron-doped microcrystalline silicon
机译:
脉冲激光结晶高导电掺硼微晶硅
作者:
C.E.Nebel
;
B.Dahlheimer
;
U.Karrer
;
M.Stutzmann
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
3.
Reactivity and migration of hydrogen in a-Si:H
机译:
氢在a-Si:H中的反应性和迁移
作者:
R.Biswas
;
Qiming Li
;
B.C.Pan
;
Y.Yoon
会议名称:
《》
|
1997年
4.
Real-time kinetic analysis of hydrogen abstraction and etching reactions using pulsed-gas pecvd of amorphous and microscrystalline silicon
机译:
使用非晶硅和微晶硅的脉冲气体法对氢提取和蚀刻反应进行实时动力学分析
作者:
Easwar Srinivasan
;
Gregory N.Parsons
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
5.
Recrystallization of amorphous silicon deposited on ultra thin microcrystalline siliconlayers
机译:
沉积在超薄微晶硅层上的非晶硅的再结晶
作者:
F.Wang
;
D.Wolfe
;
G.Lucovsky
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
6.
Role of material structure on molecular diffusion of hydrogen in a-Si:C:H films
机译:
材料结构对氢在a-Si:C:H薄膜中分子扩散的作用
作者:
E.H.C.Ullersma
;
D.K.Inia
;
F.H.P.M.Harbraken
;
W.G.J.H.M.van Sark
;
W.F.van der Weg
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
7.
Role of the gas flow parameters on the uniformity of films produced by pecvd technique
机译:
气流参数对PECVD技术生产的薄膜均匀性的作用
作者:
R.Martins
;
A.Macarico
;
I.Ferreira
;
E.Fortunato
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
8.
Selfconsistent analysis of mobility-lifetime products and subgap absorption on different pecvd a-Si:H films
机译:
不同pecvd a-Si:H薄膜的迁移率-寿命产物和亚间隙吸收的自洽分析
作者:
Lihong Jiao
;
S.Semoushikina
;
Yeeheng Lee
;
C.R.Wronski
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
9.
Single wafer amorphous silicon process evaluation
机译:
单晶片非晶硅工艺评估
作者:
David OMeara
;
Chow Ling Chang
;
Roc Blumenthal
;
Rama I.Hegde
;
Lata Prabhu
;
Vidya Kaushik
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
10.
Space charge memory effect in a-Si:H at low temperatures
机译:
低温下a-Si:H中的空间电荷记忆效应
作者:
S.Heck
;
P.Stradins
;
H.Fritzsche
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
11.
Space-charge-limited currents in n-i-n devices ncorporating glow-discharge and hot-wire deposited a-Si:H
机译:
结合辉光放电和热线沉积a-Si:H的n-i-n器件中的空间电荷限制电流
作者:
Edith C.Molenbroek
;
C.H.M.van der werf
;
K.F.Feenstra
;
F.Rubinelli
;
R.E.I.Schropp
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
12.
Stability of amorphous silicon thin film transistors for analog circuit applications
机译:
用于模拟电路的非晶硅薄膜晶体管的稳定性
作者:
R.I.Hornsey
;
T.Mahnke
;
P.Makeira
;
K.Aflatooni
;
A.Nathan
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
13.
Structural and optical properties of a-Si:H/ um c-Si:H:B junctions in the a-Si:H-based n-i-p solar ce4ll configuration
机译:
基于a-Si:H的n-i-p太阳能ce4ll配置中a-Si:H / um c-Si:H:B结的结构和光学性质
作者:
Joohyun Koh
;
H.Fujiwara
;
C.R.Wronski
;
R.W.Collins
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
14.
Structural properties of a-Ge_1-xC_x:H alloys prepared by the rf sputtering technique
机译:
射频溅射技术制备的a-Ge_1-xC_x:H合金的结构性能
作者:
F.C.Marques
;
J.Vilcarromero
;
F.L.Freire
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
15.
Structural relaxation of vacancies in amorphous silicon
机译:
非晶硅中空位的结构弛豫
作者:
Eunja Kim
;
Young Hee Lee
;
Changfeng Chen
;
Tao Pang
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
16.
Study of microvoids in high-rate a-Si:H using positron annihilation
机译:
用正电子an没研究高速a-Si:H中的微孔
作者:
X.Zou
;
D.P.Webb
;
S.H.Lin
;
Y.W.Lam
;
Y.C.Chan
;
Y.F.Hu
;
C.D.Beling
;
S.Fung
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
17.
The effect of the amorphous silicon alpha-gamma transition on thin film transistor performance
机译:
非晶硅α-γ跃迁对薄膜晶体管性能的影响
作者:
I.D.French
;
S.C.Deane
;
D.T.Murley
;
J.Hewett
;
I.G.Gale
;
M.J.Powell
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
18.
The effects of hydrogen dilution on voc in a-Si:H pin solar cells
机译:
氢稀释对a-Si:H pin太阳能电池中voc的影响
作者:
Qi Wang
;
Richard S.Crandall
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
19.
The impact of field plate resistivity on the performance of a novel high voltage thin film transistor incorporating a semi-insulating layer
机译:
场板电阻率对包含半绝缘层的新型高压薄膜晶体管性能的影响
作者:
Y.Chen
;
F.J.Clough
;
E.M.Sankara Narayanan
;
Y.Z.Xu
;
W.Eccleston
;
W.I.Milne
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
20.
The influence of the substrate temperature on the recombination processes in a-Si:H
机译:
衬底温度对a-Si:H中复合过程的影响
作者:
Y.Lubianiker
;
I.Balberg
;
L.Fonseca
;
S.Z.Weisz
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
21.
The problem of the top cell for the micromorph tandem
机译:
微晶串联的顶部单元的问题
作者:
Rainer Platz
;
J.Meier
;
D.Fischer
;
S.Dubail
;
A.Shah
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
22.
The significance of charged defects in understanding the lightinduced dergadation of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys
机译:
带电缺陷对于理解光诱导氢化非晶硅锗合金的降解的意义
作者:
Chih-Chiang Chen
;
Fan Zhong
;
J.David Cohen
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
23.
Time dependence of the reverse current in amorphous silicon schottky diodes
机译:
非晶硅肖特基二极管中反向电流的时间依赖性
作者:
K.Aflatooni
;
R.Hornsey
;
A.Nathan
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
24.
VHF plasma deposition of um c-Si p-layer materials
机译:
um c-Si p层材料的VHF等离子体沉积
作者:
X.Deng
;
S.J.Jones
;
T.Liu
;
M.Izu
;
S.R.Ovshinsky
;
K.Hoffman
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
25.
Via-hole addressed TFT and process for large-area a-Si:H electronics
机译:
通孔寻址的TFT和用于大面积a-Si:H电子产品的工艺
作者:
H.Gleskova
;
S.Wagner
;
D.S.Shen
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
26.
Prospects for active matrix displays on plastic
机译:
塑料有源矩阵显示器的前景
作者:
Stephen M.Gates
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
27.
Amorphous-silicon thin-film transistors matched to ultra-Large panels
机译:
匹配超大面板的非晶硅薄膜晶体管
作者:
Masakiyo Matsumura
;
Akihiko Saitoh
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
28.
Structure and electronic parameters of a-Si:H deposited by DC-MASD
机译:
DC-MASD沉积的a-Si:H的结构和电子参数
作者:
O.A.Golikova
;
A.N.Kuznetsov
;
V.Kh.Kudoyarova
;
M.M.Kazanin
;
G.J.Adriaenssens
;
H.Herremans
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
29.
Modeling of a-Si:H alloy solar cels on textured substrates
机译:
在带纹理的基板上模拟a-Si:H合金太阳能电池
作者:
M.Zeman
;
J.H.van den Berg
;
L.L.A.Vosteen
;
J.A.Willemen
;
J.W.Metselaar
;
R.E.I.Schropp
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
30.
Microcrystalline silicon germanium: an attractive bottom-cell material for thin-film silicon-based tandem-solar-cells
机译:
微晶硅锗:一种有吸引力的底部电池材料,用于薄膜硅基串联太阳能电池
作者:
Gautam ganguly
;
Toru Ikeda
;
Kei Kajiwara
;
Akihisa
;
Matsuda
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
31.
Real-time esr observation during film growth of a-Si:H
机译:
a-Si:H薄膜生长过程中的实时esr观察
作者:
S.Yamasaki
;
T.Umeda
;
J.Isoya
;
K.Tanaka
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
32.
Spin-dependent transport in Si thin-film transistros
机译:
Si薄膜晶体管中与自旋有关的传输
作者:
G.Kawachi
;
C.F.O.Graeff
;
M.S.Brandt
;
M.Stutzmann
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
33.
Determination of the density of states in semiconductors from transient photoconductivity
机译:
由瞬态光电导确定半导体中的状态密度
作者:
C.Main
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
34.
Electronic properties and device applications of hot-wire CVD polycrystalline silicon films
机译:
热线CVD多晶硅膜的电子性能和器件应用
作者:
A.R.Middya
;
J.Guillet
;
R.Brenot
;
J.Perrin
;
J.E.Bouree
;
C.Longeaud
;
J.P.Kleiker
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
35.
Electronic properties of microcrystalline silicon
机译:
微晶硅的电子性质
作者:
R.Carius
;
F.Finger
;
U.Backhausen
;
M.Lusberg
;
P.Hapke
;
L.Houben
;
M.Otte
;
H.Overhof
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
36.
High-deposition-rate a-Si:H throuhg VHF-CVD of argon-diluted silane
机译:
氩气稀释的硅烷的高沉积速率a-Si:H透过VHF-CVD
作者:
H.Meiling
;
J.Bezemer
;
R.E.I.Schropp
;
W.F.van der Weg
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
37.
Microscopic aspects of the stabler-wronski effect
机译:
更稳定的沃伦斯基效应的微观方面
作者:
Martin Stutzmann
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
38.
Modeling and scaling of a-Si:H and poly-Si thin film transistors
机译:
a-Si:H和多晶硅薄膜晶体管的建模和缩放
作者:
M.S.Shur
;
H.C.Slade
;
T.Ytterdal
;
L.Wang
;
Z.Xu
;
M.Hack
;
K.Aflatooni
;
Y.Byun
;
Y.Chen
;
M.Froggatt
;
A.Krishnan
;
P.Mei
;
H.Meiling
;
B.-H.Min
;
A.Nathan
;
S.Sherman
;
M.Stewart
;
S.Theiss
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
39.
Search for explaining the staebler-wronski effect
机译:
搜索以解释staebler-wronski效应
作者:
H.Fritzsche
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
40.
Transport and recombination channels in undoped microcrystalline silicon studied by ESR and EDMR
机译:
通过ESR和EDMR研究未掺杂微晶硅中的传输和复合通道
作者:
D.Will
;
C.Lerner
;
W.Fuhs
;
K.Lips
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
41.
Versatile high rate plasma deposition and processing with very high frequency excitation
机译:
多种高速率等离子体沉积和超高频激发处理
作者:
M.Heintze
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
42.
Molecular dynamics investigations of boron doping in a-Si:H
机译:
a-Si:H中硼掺杂的分子动力学研究
作者:
Peter A.Fedders
;
D.A.Drabold
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
43.
Optically induced conductivity changes in amorphous silicon: a historical perspective
机译:
非晶硅中的光感应电导率变化:历史观点
作者:
David L.Staebler
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
44.
Fluctuating defect density probed with noise spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon
机译:
氢化无定形硅中噪声光谱探测的波动缺陷密度
作者:
P.A.W.E.Verleg
;
O.Uca
;
J.I.Dijkhuis
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
45.
Novel plasma control method in pecvd for preparing microcrystalline silicon
机译:
PECVD制备微晶硅的新型等离子体控制方法
作者:
T.Nishimiya
;
M.Kondo
;
A.Matsuda
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
46.
Stability of single and tandem junction a-Si:H solar cells grown using the ECR process
机译:
单次和串联结的稳定性A-Si:H太阳能电池使用ECR过程生长
作者:
Vikram L.Dalal
;
Tim Maxson
;
Robert Girvan
;
Sohail Haroon
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
47.
Rugged thin film diode liquid crystal switches based on amorphous SiN_x:H
机译:
基于无定形SIN_X的坚固耐薄膜二极管液晶开关:H
作者:
B.Mc.Garvey
;
J.B.Clegg
;
S.C.Deane
;
J.N.Sandoe
;
J.M.Shannon
;
Philips Research
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
48.
Spin dependent photoinduced absorption in a-Si:H
机译:
在A-Si中旋转依赖性光抑制吸收:H.
作者:
N.Schultz
;
Z.V.Vardeny
;
P.C.Taylor
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
49.
Growth of micro-crystalline Si:H and (Si,Ge):H on polyimide substrates using ECR deposition techniques
机译:
微晶Si:H和(Si,Ge)的生长:H在使用ECR沉积技术的聚酰亚胺基材上
作者:
Karl Erickson
;
Vikram L.Dalal
;
George Chumanov
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
50.
deposition conditions for large area pecvd of amorphous silicon
机译:
非晶硅大面积PECVD的沉积条件
作者:
J.Kuske
;
U.Stephan
;
W.Nowak
;
S.Rohlecke
;
A.Kottwitz
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
51.
A novel method for fabrication of hydrogenated amorphous silicon and high quality poly-Si films on the same substrate by employing excimer laser
机译:
采用准分激光器在同一基板上制造氢化非晶硅和高质量多晶硅膜的新方法
作者:
Kwon-Young Choi
;
Jong-Wook Lee
;
Hyoung-Bae Choi
;
Jae-Hong Jeon
;
Min-Koo Han
;
Yong-Sang Kim
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
52.
Solar cells from mixed SiCl_2H_2 and SiH_4 plasmas
机译:
来自混合SiCl_2H_2和SIH_4等离子体的太阳能电池
作者:
A.M.Payne
;
B.K.Crone
;
S.Wagner
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
53.
The effects of hydrogen dilution on voc in a-Si:H pin solar cells
机译:
氢气稀释对VOC中VOC:H销太阳能电池的影响
作者:
Qi Wang
;
Richard S.Crandall
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
54.
Photocapacitance and hole drift mobility measurements in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)
机译:
氢化无定形硅(A-Si:H)中的光电容和孔漂移迁移率测量
作者:
Indra Nurdjaja
;
E.A.Schiff
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
55.
Electron spin resonance of hydrogenated amorphous silicon alloyed with sulfur
机译:
用硫磺的氢化无定形硅的电子自旋共振
作者:
Baojie Yan
;
P.C.Taylor
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
56.
Photoconductivity and density of states in 'microstructural' amorphous silicon
机译:
“微观结构”无定形硅中的光电导性和密度
作者:
B.G.Budaguan
;
A.A.Aivazov
;
A.G.RadoselSky
;
A.A.Popov
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
57.
Investigations of ultra-thin single layer a-Si:H films
机译:
超薄单层A-Si:H电影的研究
作者:
S.A.Koehler
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
58.
Influence of deposition conditions on the 1/f noise in hydrogenated amorphous silicon
机译:
沉积条件对氢化非晶硅1 / F噪声的影响
作者:
P.W.West
;
D.Quicker
;
H.M.Dyalsingh
;
J.Kakalios
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
59.
Persistent photoconductivity,the staebler-wronski effect,and long-range disorder in a-Si:H
机译:
持续光电导性,staebler-wronski效应,A-Si中的远程障碍:h
作者:
D.Quicker
;
P.W.West
;
J.Kakalios
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
60.
More insights into band gap graded a-SiGe:H solar cells by experimetnal and simulated data
机译:
更多关于带隙渐变A-SiGe的洞察:H太阳能电池通过经验和模拟数据
作者:
J.Zimmer
;
H.Stiebig
;
J.Folsch
;
F.Finger
;
Th.Eickhoff
;
H.Wagner
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
61.
High-rate pecvd of low defect density a-Si:H on large areas
机译:
低缺陷密度A-Si:H在大面积上的高速率PECVD
作者:
S.Rohlecke
;
O.Steinke
;
K.Schade
;
f.Stahr
;
M.Albert
;
R.Deltschew
;
A.Kottwitz
;
R.Carius
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
62.
High electric field effects on the thermal generation in hydrogenated amorphous silicon
机译:
高电场对氢化无定形硅的热产生的影响
作者:
A.Ilie
;
B.Equer
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
63.
Crystallization of germanium-carbon alloys - structure and electronic transport
机译:
锗 - 碳合金的结晶 - 结构与电子运输
作者:
T.-M.John
;
J.Blasing
;
P.Veit
;
T.Drusedau
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
64.
Characterization and modeling of frequency dispersion in amorphous silicon thin film transistors
机译:
无定形硅薄膜晶体管频分散的表征与建模
作者:
H.C.Slade
;
M.S.Shur
;
T.Ytterdal
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
65.
Internal electric profile in thin film hydrogenated amorphous silicon diodes studied by the transient-null-current method
机译:
通过瞬态零电流法研究薄膜薄膜氢化非晶硅二极管的内部电型材
作者:
Daxing Han
;
Chenan Yeh
;
Keda Wang
;
Qi Wang
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
66.
Electroabsorption spectra of hydrogenated amorphous and microcrystalline silicon
机译:
氢化无定形和微晶硅的电吸收光谱
作者:
Lin Jiang
;
E.A.Schiff
;
F.Finger
;
P.Hapke
;
S.Koynov
;
R.Schwarz
;
N.Wyrsch
;
A.Shah
;
J.Yang
;
S.Guha
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
67.
Hydrogen incorporation during deposition of a-Si:H from an intense source of SiH_3
机译:
在SiH_3的强烈来源沉积A-Si沉积期间氢气掺入
作者:
M.C.M.van de Sanden
;
R.J.Sever4ens
;
W.M.M.Kessels
;
F.Van de Pas
;
L.van Ijzendoorn
;
D.C.Schram
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
68.
Diffusion and effusion of hydrogen in microcrystalline silicon
机译:
微晶硅氢的扩散和积分
作者:
W.Beyer
;
P.Hapke
;
U.Zastrow
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
69.
Near-intrinsic microcrystalline silicon foruse in thin film transistors
机译:
用于薄膜晶体管的近乎固有微晶硅
作者:
M.W.D.Froggatt
;
W.I.Milne
;
M.J.Powell
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
70.
Light induced effects in a-Si:H films alloyed with sulfur
机译:
在A-Si中的光诱导效果:H薄膜与硫磺合金
作者:
Jong-Hwan Yoon
;
P.C.Taylor
;
Baojie Yan
;
Czang-Ho Lee
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
71.
Experimental determination of the distributionof tail states of hydrogenated amorphous silicon: a transient photocurrent analysis
机译:
氢化非晶硅尾态分布的实验测定:瞬态光电流分析
作者:
D.P.Webb
;
F.Y.M.Chan
;
X.C.Zou
;
Y.C.Chan
;
Y.W.Lam
;
S.H.Lin
;
S.K.OLeary
;
P.K.Lim
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
72.
Preparation and properties of hydrogenated amorphous germanium nitride a-GeN_x:H
机译:
氢化无定形锗氮化物A-Gen_x的制备和性质:H
作者:
M.Hioki
;
S.Nitta
;
Y.Takeda K.Yamamoto
;
M.Sasaki
;
T.Itoh
;
S.Nonomura
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
73.
Role of material structure on molecular diffusion of hydrogen in a-Si:C:H films
机译:
材料结构对A-Si:C:H薄膜氢分子扩散的作用
作者:
E.H.C.Ullersma
;
D.K.Inia
;
F.H.P.M.Harbraken
;
W.G.J.H.M.van Sark
;
W.F.van der Weg
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
74.
Amorphous silicon thin-film transistors with a hot-wire active-layer deposited at high growth rate
机译:
非晶硅薄膜晶体管,具有高生长速率的热线有源层
作者:
V.Chu
;
J.Jarego
;
H.Silva
;
T.Silva
;
M.Bouchinha
;
P.Brogueira
;
J.P.Conde
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
75.
High-rate deposition of a-SiH filmks in 55 kHz glow discharge: growth mechanisms and film structure
机译:
55 kHz闪耀放电中A-SIH拍摄的高速沉积:生长机制和薄膜结构
作者:
B.G.Budaguan
;
A.A.Aivazov
;
A.Yu.Sazonov
;
A.APopov
;
A.E.Berdnikov
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
76.
Structural relaxation of vacancies in amorphous silicon
机译:
无定形硅中空位的结构放松
作者:
Eunja Kim
;
Young Hee Lee
;
Changfeng Chen
;
Tao Pang
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
77.
Molecular dynamics investigations of boron doping in a-Si:H
机译:
A-Si中硼掺杂的分子动力学研究:H
作者:
Peter A.Fedders
;
D.A.Drabold
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
78.
Amorphous silicon-carbon alloys and amorphous carbon from direct methane and ethylene activation by ECR
机译:
通过ECR直接甲烷和乙烯活化的非晶硅 - 碳合金和无定形碳
作者:
J.P.Conde
;
V.Chu
;
F.giorgis
;
C.F.Pirri
;
S.A.Rekat
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
79.
Defect formation mechanism during pecvd of a-Si:H
机译:
A-Si的PECVD期间缺陷形成机制:H
作者:
Keiji Maeda
;
Ikurou Umezu
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
80.
Injection doping of ultrathin microcrystalline silicon films prepared by CC-CVD
机译:
通过CC-CVD制备的超薄微晶硅膜注射掺杂
作者:
S.Koynov
;
S.Grebner
;
R.Schwarz
;
L.Vassilev
;
I.Sieber
;
M.Schmidt
;
W.Fuhs
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
81.
Deposition and characterization of polycrystalline silicon films on glassfor thin film solar cells
机译:
薄膜太阳能电池玻璃上多晶硅薄膜的沉积和表征
作者:
R.B.Bergmann
;
J.Krinke
;
H.P.Strunk
;
J.H.Werner
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
82.
Space-charge-limited currents in n-i-n devices ncorporating glow-discharge and hot-wire deposited a-Si:H
机译:
N-I-N器件中的空间电荷限制电流Ncorplating辉光 - 放电和热线沉积A-Si:H.
作者:
Edith C.Molenbroek
;
C.H.M.van der werf
;
K.F.Feenstra
;
F.Rubinelli
;
R.E.I.Schropp
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
83.
Intentional reconstruction of silicon network on the surface and within sub-surface by H and Ar
机译:
H和AR故意重建表面和亚表面内的硅网络
作者:
W.Futako
;
K.Fukutani
;
I.Shimizu
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
84.
Optical and structural characterization of silicon microstructure fabricated by laser interference crystallization
机译:
激光干涉结晶制造的硅微观结构的光学和结构表征
作者:
D.Toet
;
G.Aichmary
;
M.Mulato
;
P.V.Santos
;
A.Spangenberg
;
R.B.Bergmann
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
85.
Observation of improved structural ordering in low H content,hot wire deposited a-Si:H
机译:
在低H含量下改善结构排序,热线沉积A-Si:h
作者:
A.H.Mahan
;
D.L.Williamson
;
T.E.Furtak
;
T.E.Furtak
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
86.
An NMR investigation of H cluster configurations in a-Si:H
机译:
A-Si中H集群配置的NMR调查:H
作者:
J.Todd Stephen
;
Jonathan M.Rutland
;
Daxing Han
;
Yue Wu
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
87.
Influence of defects on excess charge carrier kinetics studied by transient PC and transient PA
机译:
瞬态PC和瞬态PA研究缺陷对多余电荷载体动力学的影响
作者:
H.Feist
;
M.Kunst
;
C.Swiatkowski
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
88.
Photoluminescence and optical characterization of a-Si_xN_1-x:H based multilayers crown by pecvd
机译:
通过PECVD的A-Si_XN_1-X:H基于多层皇冠的光致发光和光学表征
作者:
G.Giorgis
;
F.Guiliani
;
C.F.Pirri
;
E.Tresso
;
R.Galloni
;
R.Rizzoli
;
C.Summonte
;
A.Desalvo
;
F.Zignani
;
P.Rava
;
F.Caccavale
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
89.
Effects of synchrotron x-rays on PVD deposited and ion implanted alpha -Si
机译:
Syschrotron X射线对PVD沉积和离子植入αSi的影响
作者:
Kin Man Yu
;
Lei Wang
;
W.Walukiewicz
;
S.Muto
;
S.McCromick
;
J.R.Abelson
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
90.
Ambipolar phototransport ( um tau_e = um tau _h) observed as an intrinsic property of a-SiGe:H
机译:
Ambipolar PhotoTransport(UM Tau_e = Um Tau _h)观察到A-SiGe的内在属性:H
作者:
Paul Wickboldt
;
Dawen Pang
;
William Paul
;
Joseph H.Chen
;
Chih-Chiang Chen
;
J.David Cohen
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
91.
Real-time kinetic analysis of hydrogen abstraction and etching reactions using pulsed-gas pecvd of amorphous and microscrystalline silicon
机译:
使用无定形和微晶硅的脉冲气体PECVD实时动力学分析及蚀刻反应
作者:
Easwar Srinivasan
;
Gregory N.Parsons
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
92.
Deuterium in crystalline and amorphous silicon
机译:
在结晶和无定形硅的氘
作者:
R.Borzi
;
H.Ma
;
P.A.Fedders
;
D.J.Leopold
;
R.E.Norberg
;
J.B.Boyce
;
N.M.Johnson
;
S.E.Ready
;
J.Walker
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
93.
Hydrogen populations in pecvd a-Si:H,d
机译:
PECVD A-Si中的氢气种群:H,D
作者:
T.S.Cull
;
M.J.Kernan
;
P.H.Chan
;
P.A.Fedders
;
D.J.Leopold
;
R.E.Norberg
;
P.Wickboldt
;
W.Paul
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
94.
Al/ZnO/a-SiGe:H: a system protected by the ZnO buffer from metal-induced crystallization
机译:
Al / ZnO / A-SiGe:H:由金属诱导的结晶受ZnO缓冲液保护的系统
作者:
F.Edelman
;
R.Brener
;
C.Cytermann
;
R.Weil
;
C.Beneking
;
W.Beyer
;
W.Skorupa
;
R.Yankov
;
P.Werner
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
95.
Improved stability against light-exposure in deuterated amorphous silicon alloy solar cells
机译:
改善了氘代非晶硅合金太阳能电池的耐曝光稳定性
作者:
S.Sugiyama
;
J.Yang
;
S.Guha
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
96.
Nanostructured silicon thin films deposited by pecvd in the presence of silicon nanoparticles
机译:
在硅纳米粒子存在下PECVD沉积的纳米结构硅薄膜
作者:
G.Viera
;
P.Roca i Cabarrocas
;
S.Hamma
;
S.N.Sharma
;
J.Costa
;
E.Bertran
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
97.
Amorphous silicon photodiodes for replacing degenerated photoreceptors in the human eye
机译:
用于在人眼中取代退化的感光体的非晶硅光电二极管
作者:
M.B.Schubert
;
A.Hierzenberger
;
V.Baumung
;
H.N.Wanka
;
W.Nisch
;
M.Stelzle
;
E.Zrenner
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
98.
The significance of charged defects in understanding the lightinduced dergadation of hydrogenated amorphous silicon-germanium alloys
机译:
带电缺陷在理解光致非晶硅 - 锗合金的光引起的降解的重要性
作者:
Chih-Chiang Chen
;
Fan Zhong
;
J.David Cohen
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
99.
Numerical simulation of the transient photoconductivity in a-Si:H as a function of the excitation density
机译:
A-Si:H瞬态光电导性的数值模拟作为激发密度的函数
作者:
H.Feist
;
M.Kunst
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
100.
Space charge memory effect in a-Si:H at low temperatures
机译:
在低温下A-Si:H中的空间充电内存效果
作者:
S.Heck
;
P.Stradins
;
H.Fritzsche
;
Materials Research Socidety
会议名称:
《Symposium on amorphous and microcrystalline silicon technology》
|
1997年
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