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热丝助PECVD制备多晶硅薄膜的结构特点

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将热丝(钨丝)作为催化器平等地抛引入等离子体增强化学气相沉积,建立热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度、射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T<,f>对硅薄膜晶化的影响.结果表明,随着T<,f>的提高,沉积速率、硅薄膜晶化程度和晶粒大小明显增加,呈现半高宽为0.2度,(220)优化生长方向,获得了高晶态比(0.95)的多晶硅薄膜.Raman散射谱Si-Si TO峰位于520.5cm<'-1>,半高宽为7.1cm<'-1>,表明热丝的引入有很好的晶化增强效果.

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来源
《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》|2001年|162-165|共4页
会议地点北京
作者
冯勇; 刘丰珍; 朱美芳; 刘金龙; 韩一琴;
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作者单位

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
多晶硅薄膜; 热丝助化学气相沉积; 晶化;

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