热丝法制备多晶硅薄膜晶体取向及形态的研究

柴展; 张贵锋; 王赛; 侯晓多

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采用热丝化学气相沉积法（HWCVD），在很近的热丝与衬底距离（5mm）下沉积多晶硅薄膜，研究了热丝温度、SiH4浓度对多晶硅晶粒取向和晶粒尺寸的影响规律。结果表明：当热丝温度在1400oC～1800oC变化，衬底温度225℃-320℃时，沉积出多晶硅薄膜的择优取向随温度升高的变化规律是（111）→（220）→（111）；在低的灯丝温度（-1450℃）和低的衬底温度（235℃）条件下，获得了晶粒横向尺寸大于1μm、垂直尺寸大于5μm的均匀致密的多晶硅薄膜。

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来源
《真空科学与技术学报》 |2007年第1期|76-79|共4页
作者
柴展; 张贵锋; 王赛; 侯晓多;
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作者单位

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室材料科学与工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜技术;
关键词
热丝化学气相沉积; 多晶硅薄膜; 择优取向; 晶体形态;

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