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Synthesis of polycrystalline silicon thin films with 'icosahedral' symmetry by ceramics hot wire chemical vapor deposition

机译:陶瓷热丝化学气相沉积法合成“二十面体”对称的多晶硅薄膜

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摘要

We report on synthesis and materials physics of polycrystalline silicon thin films deposited on glass with rarely observed 'five-fold' symmetry or 'icosahedral' symmetry. We invented these 'novel form' of polycrystalline silicon thin films by ceramics hot wire chemical vapor deposition (hot-wire CVD). A new physical effect in hot-wire CVD technology has been proposed that controls the nucleation and growth of silicon thin films on glass substrate. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:我们报告了沉积在玻璃上的多晶硅薄膜的合成和材料物理学,这种薄膜很少观察到“五重”对称或“二十面体”对称。我们通过陶瓷热线化学气相沉积(热线CVD)发明了这些“新颖形式”的多晶硅薄膜。已经提出了热线CVD技术中的一种新的物理效应,该效应控制了玻璃基板上硅薄膜的形核和生长。 (c)2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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