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低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜

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本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法、低温多晶硅薄膜的制备装置及低温多晶硅薄膜。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：提供一基板；形成一层非晶硅薄膜；用准分子镭射技术对所述非晶硅薄膜的不同区域分别施加不同的温度，使所述非晶硅薄膜变为熔融状态；所述非晶硅薄膜自温度较低的区域为起点向温度较高的区域结晶，以形成所述低温多晶硅薄膜。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜的制备装置制备出的低温多晶硅薄膜具有较大的晶粒及较高的电子迁移率。

著录项

公开/公告号CN104404617A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-03-11

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市华星光电技术有限公司;
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申请/专利号CN201410631331.5
发明设计人张隆贤;余威;
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申请日2014-11-11
分类号C30B28/06(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构44202 广州三环专利代理有限公司;
代理人郝传鑫;熊永强
地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
入库时间 2023-12-17 03:53:39

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-07

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B28/06 申请公布日:20150311 申请日:20141111

发明专利申请公布后的驳回
2015-04-08

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B28/06 申请日:20141111

实质审查的生效
2015-03-11

公开

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