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用SiCl<,4>/O<,2>-PECVD技术低温沉积硅基厚SiO<,2>薄膜

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本文选取了不含H<,2>的SiCl<,4>/O<,2>混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术实现低温沉积Si基微米厚度的SiO<,2>薄膜,测试并分析沉积速率、结构组份和折射率随工艺参数的变化关系,结果表明:沉积速率随着r.f.功率和衬底温度的增高而增大,随气体压强升高而急剧下降;薄膜中除Si-O非桥接键之外,检测不到H、Cl和N杂质原子与Si的结合键,适当的功率引起的离子轰击作用和较高的T<,a>都有助于Si-O-Si桥键网络结构的优化,在250℃时,30W和15W样品的结构和折射率趋于一致.

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来源
《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》|2001年|169-173|共5页
会议地点北京
作者
余云鹏; 徐严平; 吴永俊; 林璇英;
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作者单位

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
低温沉积方法; 二氧化硅薄膜; SiCl,4; 红外光谱;

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