Langmuir探针对以SiCl4/H2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测

祝祖送; 尹训昌; 尤建村

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Langmuir探针对以SiCl4/H2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测

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利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl4/H2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜.采用加热可调谐Lang?muir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论.

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来源
《池州学院学报》 |2015年第6期|33-35|共3页
作者
祝祖送; 尹训昌; 尤建村;
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作者单位

安庆师范学院物理与电气工程学院,安徽安庆 246011;

安庆师范学院物理与电气工程学院,安徽安庆 246011;

安庆师范学院物理与电气工程学院,安徽安庆 246011;

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正文语种 chi
中图分类等离子体物理学;真空电子学（电子物理学）;
关键词
Langmuir探针; 电子特性; SiCl4/H2等离子体; 沉积速率;

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