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低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板

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摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板。本发明的低温多晶硅薄膜的制作方法，通过在非晶硅薄膜层上沉积形成氮化硅材料的折射层并在该折射层表面形成多个凸形的或凹形的弧面结构，当采用准分子激光束照射非晶硅薄膜层使非晶硅薄膜层结晶形成低温多晶硅薄膜的制程中，准分子激光束通过折射层的弧面结构时会产生一定的散光效应或聚光效应，从而在非晶硅薄膜层上形成激光能量梯度，如此便可控制非晶硅薄膜层的结晶方向，增大晶粒尺寸，减少晶界数量，进而能够提高TFT器件载流子的迁移率，减小晶界对漏电流的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN108831894A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳市华星光电技术有限公司;

    申请/专利号CN201810616025.2

  • 发明设计人 张瑞军;卢马才;王松;

    申请日2018-06-14

  • 分类号H01L27/12(20060101);H01L21/268(20060101);H01L21/77(20170101);H01L29/16(20060101);

  • 代理机构44265 深圳市德力知识产权代理事务所;

  • 代理人林才桂;程晓

  • 地址 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

  • 入库时间 2023-06-19 07:17:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/12 申请日:20180614

    实质审查的生效

  • 2018-11-16

    公开

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