SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究

刘丽娟; 罗以琳; 林璇英

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SiCl4/H2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究

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采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小.

著录项

来源
《材料研究与应用》 |2008年第4期|437-440|共4页
作者
刘丽娟; 罗以琳; 林璇英;
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作者单位

汕头大学物理系,广东,汕头,515063;

深圳市宇光高科新能源技术有限公司,广东,深圳,518116;

汕头大学物理系,广东,汕头,515063;

汕头大学物理系,广东,汕头,515063;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜中的输运现象;
关键词
多晶硅薄膜; 持续性光电导; 晶化率;

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