硅片加工二次缺陷的产生与影响

摘要

本文主要分析了经过热氧化后的硅单晶抛光片出现的位错、层错等二次缺陷的形成原因,以及二次缺陷对晶体管生产工艺中管芯成品率的影响,并通过实验探讨了消除此缺陷的方法。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号