摘要:双面电池即可以吸收来自正面的太阳光,也可以吸收电池背面的光线,因此增加了电池的榆出功率。本文报道了156 mm×156mm大面积多晶硅双面电池的制备,这种电池采用n+/p结构,即在p型多晶硅片表面磷扩散形成n+发射极,采用PECVD氮化硅(SiNχ)钝化电池正反面,最后金属化制成电池。本文讨论了背面金属化面积对电池开路电压(Uoc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)的影响。研究发现随着金属化面积的提高。Uoc,Isc呈现下降的趋势,而FF呈现上升的趋势。综合考虑金属化面积对Uoc,IscFF的影响,金属化面积为6.89%的电池转化正面转化效率最优,达到14.11%。此外,本文还讨论了不同折射率的remote PECVD SiNχ对背面(p型硅表面)的钝化作用。采用siNχ/p-Si/SiNχ结构,WT-2000 u—pcd测试少子寿命发现:新鲜生长的氮化硅钝化的多晶硅片少子寿命随着折射率的提高而提高,但是RTP后,随着折射率的提高少子寿命先升高后下降,高折射的氮化硅可以提供更好地对p型硅表面的钝化作用,但高折射率的氮化硅热稳定性可能较差。制成的多晶双面电池Uoc显示,折射率为2.4的氮化硅比2.0和2.6折射率的氮化硅开压分别高出6mV和12 mV。