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RF-PECVD法制备微晶硅籽晶层的研究

摘要

为了便于研究微晶硅材料的性能和结构,以及改善微晶硅在异质衬底上的成核和生长,在RF-PECVD(13.56 MHz)条件下,研究了微晶硅籽晶层的制备方法。研究发现,在没有籽晶层的情况下,制备出的材料将主要是非晶结构,随着籽晶层制备条件的改变,材料由非晶向微晶过渡,晶化程度逐渐提高。经过优化,籽晶层在厚度为数十纳米的条件下晶化率可达60%以上,在籽晶层上采用不同的沉积条件,可以制备出不同晶化程度的微晶硅材料。

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