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p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响

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研究了p层带隙对微晶硅太阳能电池性能的影响。微晶硅(μc-si)太阳能电池采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备。实验结果表明氢稀释比越高，温度越低，沉积的p层膜光学带隙越大。将不同带隙p层应用于微晶硅电池，我们发现p层带隙过大将增加i/p界面处的能带失配，导致较多的缺陷态，影响内建场的分布同时限制开路电压(Voc)，而p层带隙较小时，将降低电池的内建电势，同样影响Voc增加。因而优化p层带隙将有利于提高电池的性能。

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来源
《第十一届中国光伏大会暨展览会》|2010年|383-387|共5页
会议地点南京
作者
刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国;
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作者单位

中国可再生能源学会;

江苏省光伏产业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类基本原理、计算;
关键词
硅太阳能电池; 化学气相沉积; p层带隙; 电池性能;

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