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微晶硅底电池中的n型非晶硅层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

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采用PECVD技术,使用湖南共创光伏科技有限公司产业化生产线在p-i-n/p-i-n型非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的底电池微晶硅本征层与微晶硅n层之间引入一层n型非晶硅层.结果表明,该层对于微晶硅生长缺陷引起的问题起到了很好的改善作用.n型非晶硅层的引入使叠层电池的开路电压和转换效率得到明显提升,相比于未引入n型非晶硅层的参考电池,当n型非晶硅层的厚度为8nm时,电池的开路电压平均值由72.9V提高到73.6V,转换效率由10.63％提升到了10.74％.

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来源
《第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会》|2014年|333-336|共4页
会议地点北京
作者
杨晶晶; 李廷凯; 谭学仕; 毛炳雪; 张峰;
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作者单位

中国可再生能源学会;

中国光伏行业协会;

国家可再生能源中心;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.4:TM910.3;
关键词
微晶硅底太阳电池; n型非晶硅层; 开路电压; 转换效率;

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