非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

韩晓艳; 李贵君; 侯国付; 张晓丹; 张德坤; 陈新亮; 魏长春; 孙健; 薛俊明; 张建军; 赵颖; 耿新华

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非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

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采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非晶硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的p层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微晶硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填充因子由60%提高到63%.

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来源
《半导体学报》 |2008年第8期|1548-1551|共4页
作者
韩晓艳; 李贵君; 侯国付; 张晓丹; 张德坤; 陈新亮; 魏长春; 孙健; 薛俊明; 张建军; 赵颖; 耿新华;
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作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

光电信息技术科学教育部重点实验室;

光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类元素半导体;
关键词
超高频等离子增强化学气相沉积技术; 非晶硅/微晶硅叠层电池; n/p隧穿结;

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