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深亚微米线条的制作技术

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该文以这几年为用户提供线宽CD为0.4um，公差要求±0.1um的掩模版，通过不断的实验，阐述了线宽为深亚微米的制作与普通线宽的制作，从数据处理、设备调整、曝光排版、版质量选材、工艺处理等各项技术难点用不同解决方法，为制备精细掩模成为了可能。为纳米技术的研究奠定了基础。

著录项

来源
《第一届全国纳米技术与应用学术会议》|2000年|277-281|共5页
会议地点厦门
作者
王新华; 严剑荫;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类光刻、掩膜;
关键词
精细掩模; 线条制作技术; 曝光剂量;

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