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InGaAs/GaAs多量子阱谐振腔增强型光调制器结构设计

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该文报导InGaAs/GaAs谐振腔增强型(RCE)光调制器的结构设计。首先作者们计算了InGaAs/GaAs多量子阱结构二维激子吸收系数和量子限制Stark效应，对谐振腔增强型光调制器的结构参数进行了理论分析，优化设计出适合于倒装焊工艺的谐振腔增强型光调制器微结构。

著录项

来源
《第七届全国固体薄膜学术会议》|2000年|193-195|共3页
会议地点广西北海
作者
邓晖; 梁琨; 陈弘达;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O455.3;
关键词
谐振腔型光调制器; DBR; 光电子器件; 结构设计;

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