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光导型GaN/Si探测器的研制

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采用MOCVD技术在Si(111)GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明，4V以前为线性增加，5V后达到饱和。

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来源
《全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议》|2000年|256-258|共3页
会议地点海口
作者
江若琏; 席冬娟; 赵作明; 陈鹏; 沈波; 张荣;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体光电器件;
关键词
Si基GaN; 探测器; 响应度;

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