GaN光导型紫外探测器

杨凯; 张荣

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研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在波长２５０ｎｍ－３６０ｎｍ范围近于平坦的光电流响应，并且观察到在３６５ｎｍ（￣３．４ｅＶ）带边附近陡峭的截止边。测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下在３６０ｎｍ波长处的光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电信号强度与入射光调制频率的实验

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来源
《高技术通讯》 |1997年第9期|26-28|共3页
作者
杨凯; 张荣;
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作者单位

南京大学物理系;

南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN304.23;
关键词
紫外探测器; 氮化镓; 光导型; MOCVD;

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