首页> 中文会议>全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 >WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850℃下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的-3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。

著录项

来源
《全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议》|2000年|190-192|共3页
会议地点海口
作者
刘伟吉; 曾庆明; 李献杰; 敖金平;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
难熔栅; 场效应管; 增强型; n沟道;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET [J] . 刘伟吉 ,曾庆明 ,李献杰 . 功能材料与器件学报 . 2000,第3期
2. 低阻W／WN难熔栅技术研究 [J] . 马振昌 ,宗婉华 . 半导体情报 . 2000,第005期
3. 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs　MESFET技术研究 [J] . 高玉芝 ,张利春 ,尹红坤 . 半导体学报：英文版 . 1996,第1期
4. 用于GaAs数字IC的难熔栅自对准技术研究 [J] . 赵新建 . 固体电子学研究与进展 . 1991,第2期
5. 高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W/Ti N金属栅电极CMOS器件(英文) [J] . 钟兴华 ,周华杰 ,林钢 . 半导体学报：英文版 . 2006,第3期
6. 磁控溅射制备GaAs低阻W/WN难熔栅 [C] . 宗婉华 . 第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 . 2001
7. N沟道增强型横向射频功率器件的设计与研究 [A] . 王聪 . 2019

WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅