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纳米硅尖针上非晶金刚石薄膜的沉积及其场致电子发射特性的研究

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采用磁过滤真空弧等离子体沉积系统，在纳米尺寸硅尖针阵列＜＇[1]＞上沉积不同厚度的非晶金刚石薄膜（a-D）。扫描电镜（SEM）分析结果表明薄膜均匀、平滑。利用配备有五维样品操纵台、网状阳极二极管测试结构、透明阳极、电流稳定性记录仪和实时录像系统等装置的场致发射综合分析仪，对具有不同薄膜厚度的尖针样品的场致电子发射特性进行测试，内容包括：电流—电压/电场特性、发射址的空间分布、电流稳定性等。结果发现，通过在硅尖针上沉积非晶金刚石薄膜，可明显降低尖针发射体的阈值电场，并可提高发射的电流密度、改善发射电流的稳定性。而且，薄膜的厚度对镀膜尖针的发射特性也有影响。镀膜样品的阈值电场和电流密度随薄膜厚度的增加而减小。我们认为可以采用“准隧穿机制”＜＇[2]＞，结合“内部发射原理”＜＇[3]＞来理解薄膜对场发射的增强效应和薄膜的厚度效应。

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来源
《第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会》|1999年|150-150|共1页
会议地点北京
作者
余峻聪; 邓少芝; 许宁生; S Ejaz Huq;
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作者单位

中国电子学会;

中国真空学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类阴极电子学;
关键词
非晶金刚石薄膜; 纳米硅尖针; 场致电子发射特性; 准隧穿机制;

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