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第六届全国固体薄膜学术会议
第六届全国固体薄膜学术会议
召开年:
1998
召开地:
成都
出版时间:
1998-09
主办单位:
中国电子学会
会议文集:
第六届全国固体薄膜学术会议论文集
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1.
RTCVD法制备太阳能电池用多晶硅薄膜
于民
;
王文静
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报道了RTCVD制备太阳能电池用、10-20微米厚、柱状晶粒多晶硅薄膜的方法,选用两种衬底:Si<,3>N<,4>和SiO<,2>,对比研究了薄膜的形态结构,发现前看晶粒均匀,晶粒择优晶向为<100>,而后者含较多异常大晶粒,择优晶向为<111>。
太阳能电池;
多晶硅薄膜;
热化学气相沉积;
2.
工艺条件对Ti0 2薄膜取向度的影响*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
3.
一种玻璃碳薄膜的制备及分析
王君林
;
邹广田
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
利用酚醛树脂制备出性能良好的玻璃碳薄膜,并对其结构和导电性能进行测试分析。结果表明由于尺寸差异导致的热解行为的差异使得玻璃碳薄膜的结构有序度低于块状样品,而导电性能优于块状样品。
玻璃碳;
薄膜;
酚醛树脂;
性能测试;
4.
在si衬底上化学汽相沉积大面积优质3C-SiC薄膜★
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
5.
基于新型靶材的磁控溅射法制备钒铝替代镝铁石榴石磁光存储薄膜
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
6.
LAO和LGO衬底上GaN的MOVPE生长
陆大成
;
段树坤
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
LAO;
LGO衬;
GaN;
金属有机汽相外延;
7.
808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究
李秉臣
;
彭晔
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
量子阱激光器;
无吸收腔面镀膜;
8.
PCIV法在GaN载流子浓度测试中的应用
汪雷
;
卢焕明
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
PCIV法;
GaN载流子;
浓度测试;
9.
大电流对Ⅲ--Ⅴ族氮化物异质结深电子态的影响
卢励吾
;
Weikum Ge
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
大电流;
氮化物;
异质结;
电子态;
10.
优质单晶硅P+薄层的制备
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
11.
利用背面氩离子轰击提高SiO 2-Si界面硬度
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
12.
ECR P 1 asma CVD法淀积介质膜技术
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
13.
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术研究
贾护军
;
李跃进
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
硅基;
3C-SiC薄膜;
外延生长;
14.
8-羟基喹啉锌与硅氧化物复合引起的荧光猝灭
邓晓清
;
张仕国
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
8-羟基喹啉锌;
硅氧化物;
荧光猝灭;
15.
“金属化层附着强度”测试方法探讨
顾瑛
;
张德胜
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
金属化层附着性的“扯带”验中胶带纸本身的粘结强度起着重要的作用,胶带纸的粘结强度过低过高都不能正确评价金属化层的附着性。因此需要对胶带纸的粘结强反提出一个要求。为此给出试验过程中能同时测定胶带纸粘结强度的试验方法。
金属化层附着强度;
测试方法;
16.
CuO/ZnO薄膜PN结的正向伏安特性随相对湿度的变化
何元金
;
马振伟
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
用活化反应蒸发法在普通玻璃基片上制备出CuO/ZnO薄膜PN结,研究了该PN结的正向伏安特性曲线随相对湿度的变化。CuO/ZnO薄膜PN结的正向伏安特性曲线随相对湿度的变化而改变,相对湿度越高,正向电流越大;正向偏压越高,湿度灵敏度越高。
CuO/ZnO薄膜;
PN结;
正向伏安特性;
相对湿度;
17.
UHV/CVD系统外延生长锗硅碳三元合金
亓震
;
黄靖云
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
SiGeC三元合金近年来日益成为人们研究的热点之一。碳的加人为SiGe系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性。处于替代位置的碳能缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带。该文介绍了用UHV/CVD系统生长的锗硅碳合金,并对实验结果进行了简要分析。
SiGeC合金;
超高真空化学气相沉积系统;
透射电子显微镜;
二次离子质谱;
18.
Si(100)衬底上Ge单晶层的UHV/CVD生长
于卓
;
雷震霖
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
Si(100);
Ge单晶层;
超真空化学气相沉积;
19.
含氟体系金刚石簿膜生长的热力学研究
刘志杰
;
张卫
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
根据非平衡热力学耦合模型计算了碳氢氟体系低压金刚石生长的非平衡定态相图,与大量实验事实比较相符合。通过相图讨论了系统压力对低压金刚石薄膜生长条件的影响,可以为实验研究提供理论指导。还讨论了氟原子在金刚石薄膜淀积过程中的作用。
含氟体系金刚石;
薄膜生长;
热力学;
20.
ZnO薄膜的MBE制备与结构分析
王合英
;
何元金
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
采用MBE技术在蓝宝石(1120)基片上生长出垂直取向的ZnO薄膜,在si(111)基片上生长出平行取向的ZnO薄腹,并分别讨论了基片材料、基片温度和生长速率对ZnO薄膜结构取向的影响。
ZnO薄膜;
结构分析;
分子速外延;
21.
固体薄膜用低TOC、低细菌内毒素的高纯水制备
闻瑞梅
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
固体薄膜;
高纯水;
22.
多晶硅薄膜和多晶硅发射极光电晶体管
李国辉
;
姬成周
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文研究了用UTT-40型超高真空镀膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的高子注入掺杂和退火特性,并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶体营,当人射光功率为44nw时,光电增益达到了3386。
多晶硅薄膜;
多晶硅发射极;
光电晶体管;
23.
GaP:N LPE片的纵向载流子浓度分布
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
24.
uHv/cvD法生长sice/si异质结研究
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
25.
用GOI技术减少GaAs材料在Y瞬时辐射时产生的光电流
吕云安
;
艾广勤
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有Al<,2>O<,3>绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料(GOI)将该材料与一般GaAs材料同时进行Y瞬时辐射实验。结果表明:该材料比一般常规材料的防时脉冲光电流有明显下降,具有较强的抗丫瞬时辐时的能力。
COI技术;
GaAs材料;
γ瞬时辐射;
光电流;
26.
电子束蒸镀Y 2O 3-ZrO 2减反射膜用于1.3um半导体激光器*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
27.
Bragg光栅在DFB激光器中的应用以及其占空比的控制
张静媛
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
当前通信技术快速发展,传输向高速、大容量、长距离开发,因此对光电子器件提出越来越高的要求。该文介绍Bragg光栅在DFB激光器中的应用,光栅占空比对器件的影响及控制,研制出1.3μm MQW-DFB,1.5μm MQW-DFB激光器,边模抑制比>35dB,单模成品率>80。
Bragg光栅;
DFB激光器;
占空比的控制;
28.
DFB激光器中介质光学薄膜的作用
毕可奎
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
DFB激光器;
介质光学薄膜;
29.
改进电沉积法制备三氧化钨电色薄膜
杜金会
;
贾小东
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文在电沉积法和多聚配合物法制备三氧化钨薄膜的基础上,提出了一种制备这一薄膜的新方法一改进电沉积法。并对该法的原理以及所制备薄膜的结构特性和电色特性进行了研究。实验表明,该方法可与其它三氧化钨薄膜的制备方法相媲美。
电沉积法;
三氧化钨薄膜;
电致变色;
结构特性;
电色特性;
30.
工艺条件对TiO<,2>薄膜取向度的影响
孙一军
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文采用MOCVD方法,在SiO<,2>/Si衬底上制备出了高取向锐钛矿TiO<,2>薄膜。
工艺条件;
31.
立方氮化硼薄膜研究的新进展
赵永年
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
立方氮化硼薄膜;
32.
多离子束溅射制备掺镧钛酸沿薄膜及其性能研究
朱建国
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
多离子束溅射;
33.
酞菁酮纳米微粒膜的形貌及其吸收光谱
汪茫
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
酞菁酮;
34.
低温Si-GSMBE中Si<,2>H<,6>的热裂解过程
黄大定
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
低温Si-GSMBE;
35.
对AlAs薄层横向选择氧化速率的研究
张益
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文详细研究了AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件和层厚对AlAs薄层横向氧化速率的影响,得到了可精确控制氧化速率和氧化结果均匀性的工艺条件,并运用湿氮氧化制备出低阈值的InGaAs垂直腔面发射激光器。
AlAs薄层;
36.
UHV/CVD生长Si<,1-X>Ge<,X>/Si合金锗偏聚的研究
黄靖云
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)生长了锗硅外延层。
Si,1-XGe,X/Si合金锗偏聚的研究;
37.
UHV/CVD生长SiGe组分渐变缓冲层的应变驰豫
卢焕明
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
SiGe组分;
38.
硅上异质外延γ氧化铝对衬底硅的影响
昝育德
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-A1<,2>O<,3>/Si外延生长,单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在研究人员的实验室生长出γ-Al<,2>O<,3>/Si单晶薄膜它们的结晶关系是(100)γ-Al<,2>O<,3>//(100)si,[010]γ-Al<,2>0<,3>//[010]Si.γ-Al<,2>O<,3>/Si单晶薄膜与衬底的热胀系数的差异引起界面硅产生大量Cottrell位错。
硅上异质外延;
39.
不同方法测量薄膜的折射率
彭晔
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
薄膜;
40.
半绝缘InP掩埋1.55μm激光器
许国阳
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
半绝缘InP掩埋;
41.
电子束蒸镀Y<,2>O<,3>-ZrO<,2>减反射膜用于1.3μm半导体激光器
王浙辉
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
用DMP-450型电子束镀膜机,制备了Y<,2>O<,3>-ZrO<,2>膜,并用它作为1.3μm半导体激光器的减反射膜,测试结果表明,镀膜后的管子其外微分量子效率明显提高,并线性性有改善。
半导体激光器;
42.
GaP:NLPE片的纵向载流子浓度分布
刘荣寰
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
GaP:NLPE片;
43.
在Si衬底上化学汽相沉积大面积优质3C-SiC薄膜
陶长远
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
在国内,该文首次报道在Si衬底上,采用化学汽相沉积技术生长出直径达30mm的大面积优质3C-SiC单晶薄膜,表面光亮如镜,其(111)面的X射线衍射峰(20θ=35.6°)半高宽≤0.4°,室温付里叶变换红外透射谱特征吸收峰(794.7cm<'-1>)强,且狭窄尖锐,二者充分表明了晶蘜
化学汽相沉积;
44.
有机电-光聚合物薄膜透射率研究
石志文
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
有机电-光聚合物;
45.
质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响
黄万霞
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
用固定能量为20kev,注量为10<'11>~10<'13>/cm<'2>的质子和固定注量为1×10<'11>/cm<'2>,能量为30~100keV的质子,对GaAs/AlGaAs多量子阱材料进行辐照,得到了材料的荧光特性随质子能量和注量的变化关系,并进行了讨论。
质子辐照;
46.
a-SiC<,x>N<,y>:H薄膜光学测试
吴现成
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
对室温下利用射频反应溅射技术制备的氢化非晶硅碳氮薄膜(a-SiC<,x>N<,y>:H)进行了傅立叶变换红外反素外-可见-近红外光学测试,发现由于薄膜中同时存在碳、氮元素,薄膜结构和特性明显地受薄膜组份的调制,高氮含量薄膜无规网络因C≡N键的存在而得到软化,高温(800℃
反应溅射;
47.
分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究
范堤文
;
龚谦
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
分子束外延;
InAs量子点材料;
透射电子显微镜;
48.
金属--P型金刚石肖特基势垒性能
江关辉
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
摘要:
该文报道金属--P型金刚石薄膜的肖特基势垒性能。在低阻Si单晶衬底上,用微波等离子体CVD法生长掺硼的多晶金刚石薄膜,用金属与P型金刚石薄膜接触的方法获得金刚石薄膜的肖特基势垒性能。经测试分析,在10V范围内有4个数量级的整流性能。
P型金刚石;
肖特基势垒;
49.
质子辐照对GaAs/AIGaAs多量子阱材料光学性质的影响
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
50.
多晶硅薄膜结构对多孔多晶硅薄膜发光强度的影响
黄维宁
;
汤国英
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
多晶硅薄膜结构;
多孔多晶硅薄膜;
发光强度;
51.
微晶硅薄膜小角X射线散射研究*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
52.
非晶金刚石簿膜光电性质及场致电子发射特性的研究*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
53.
金属——P型金刚石肖特基势垒性能
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
54.
金刚石薄膜制备过程中的等离子体检测*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
55.
LBO晶体增透膜的镀制
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
56.
锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜(HRTEM)研究*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
57.
大电流对Ⅲ——Ⅴ族氮化物异质结深电子态的影响*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
58.
c70薄膜/Si界面电子态*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
59.
BDN Langmuir-Blodgett膜气体敏感机理
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
60.
电沉积氧化钨电色薄膜的结构及其红外反射率的研究*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
61.
超薄金属薄膜的电阻弛豫及其与C<,60>的相互作用
王志军
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
超薄金属薄膜;
62.
优质单晶硅P<'+>薄层的制备
周继承
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
研究了正面高能Ar<'+>注入的吸杂行为。
Ar'+注入;
63.
MOCVD法生长AlGaAs的组分控制研究
公延宁
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
文本以常压MOCVD(AP-NOCVD)系统为对象、分析了Al<,x>Ca<,1-x>As生长过程中控制多数对气相Al组分含量量XAl和固相Al组分含量X之间关系的影响。
金属有机物气相外延;
64.
砷化镓抛光晶片表面吸附问题的分析
郑红军
;
卜俊鹏
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
采用AES(俄歇电子能谱)测试方法,分析了经过不同方法后步清洗工艺处理的GaAs抛光晶片表面态,结果表明,抛光晶片表面吸附物主要是与晶片表面悬挂键相组合的残留反应生成物、残余抛光液-氧,而化学吸附-氧是影响GaAs抛光晶片清洗、封装工艺技术发展的关键问题之一。
砷化镓抛光晶片;
表面吸附;
65.
金刚石薄膜制备过程中的等离子体检测
马玉蓉
;
郭骅
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
金刚石薄膜;
等离子体检测;
66.
锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜(HRTEM)研究
陈伟华
;
黄靖云
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
该文报道用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)方法,采用锗岛缓冲层技术,在硅衬底上生长锗硅外延层。超高分辨电镜(HRTEM)显示,外延层界面过渡良好,外延层顶部结晶质量优于采用线性渐变缓冲层技术生长的锗硅外延层。
锗岛缓冲层;
锗硅外延层;
高分辨电镜;
67.
离子注入SOI-SIMOX薄膜的表面电学性能
卢殿通
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
离子注入;
SOI-SIMOX薄膜;
表面电学性能;
68.
硫化锌薄膜的微结构研究
柳兆洪
;
孙书农
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得粉料、薄膜表层及表层下的微晶构态信息,揭示了硫化锌粉料、薄膜微结构与电致发光性能的关系。
微晶;
发光;
微结构;
硫化锌薄膜;
69.
硅基GaN外延层透射电镜高分辨像分析
张昊翔
;
王宇
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
硅基GaN外延层;
透射电镜;
高分辨像分析;
70.
微晶硅薄膜小角X射线散射研究
郭晓旭
;
董宝中
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
用小角X射线散射(SAXS),Raman谱,红外透射谱等研究高氢稀释硅烷热丝法(HWCVD)制备氢化微晶硅膜微结构。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为在非品硅膜中H以SiH为主,在微晶硅膜中H以SiH为主且主要存在于晶粒的界面。
微晶硅薄膜;
X射线散射;
71.
多晶硅膜的电镜研究
闵靖
;
李积和
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
多晶硅膜;
电镜;
72.
稳定非晶硅薄膜的结构特征
孔光临
;
吴跃
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
非晶硅薄膜;
结构特征;
73.
GSMBE大组分SiGe合金中B原位掺杂
刘金平
;
黄大定
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
GSMBE大组分;
SiGe合金;
B原位掺杂;
74.
不同方法测量薄膜的析射率
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
75.
对AIAS薄层横向选择氧化速率的研究
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
76.
·硅上异质外延Y氧化铝对衬底硅的影响
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
77.
GaAs太阳电池低温退火技术的研究
向贤碧
;
常秀兰
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
该文介绍作者近年来在Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs异质结太阳电池的研究工作中发展起来的一种低温退火技术(LTA).以及它对Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs太阳电池性能的影响。经过一系列实验,证明低温退火工艺技术是一项改进太阳电池性能的有效措施。Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs太阳电池经过适当的低温退火处理看,其填充因子(F.F)明显提高,开路电压(Voc)略有增加,因而导致了太阳电池的转换率的明显提育。作者用电化学C-V测量技术对退火前后的外延片进行了测量分析,并对退火效应的机理进行了一些初步的探讨。
GaAs太阳电池;
低温退火;
78.
外延Hg-1212超导薄膜及其拉曼光谱的研究
周赫田
;
张林
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
超导薄膜;
拉曼光谱;
79.
超导电子学中的氧化物薄膜
王守证
;
聂瑞娟
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
超导电子学;
氧化物薄膜;
80.
1.2u集成电路生产中颗粒沾污
曾庆光
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
集成电路;
颗粒沾污;
81.
硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研究
张昊翔
;
叶志镇
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
该文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB表面分析仪和二次离子质谱仪对外延层的组成进行了表面分析(定量)和深度剖析(定性),发现外延层Ga和N组份分布均匀,并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的SiO<,2>。
GaN;
X光电子能谱;
二次离子质谱;
82.
MOCVD法生长AIGaAs的组分控制研究
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
83.
异质结薄膜CeO 2/Si高温热退火界面扩散——反应机理研究
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
84.
酞菁铜薄膜超高真空生长及原位光电子谱研究
季振国
;
陈红征
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
酞菁铜薄膜;
超高真空生长;
原位光电子谱;
85.
碲镉汞薄膜的MOVPE生长和特性
王静宇
;
刘朝旺
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
碲镉汞薄膜;
金属有机化合物汽相外延;
86.
通过无汞precursor膜的退火制备汞基超导薄膜的研究
郭建栋
;
孙云峰
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
无汞Precursor膜;
退火;
汞基超导薄膜;
87.
准分子脉冲激光法外延生长氧化物薄膜
连贵君
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
准分子脉冲激光法;
氧化物薄膜;
88.
离子束辅助方法生长YBCO/YSZ多层织构膜
康晋锋
;
熊光成
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
离子束辅助方法;
YBCO/YSZ多层织构膜;
89.
ECRPCVD SiN薄膜应力特性研究
恩云飞
;
杨银堂
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
摘要:
该文介绍了电子回旋并振等离子于体CVD半导体薄膜制备工艺,并对这种工艺下得到的SiN介质膜应力进行了研究。薄膜应力测试采用激光束偏转法和双折射法,其中激光束偏转法直观、简便,不受样品材料的限制,可以判定应力的张、压性质,双折射法应力测试分辨率高,能给出应力的方向。
电子回旋共振等离子体CVD;
SiN薄膜应力;
应力测试系统;
90.
P-Si(111)上溅射生长ZnO薄膜的结构特性
姚振钰
;
贺洪波
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
P-Si(111);
溅射;
ZnO薄膜;
结构特性;
91.
uHV/CVD生长SiGe组分渐变缓冲层的应变驰豫★
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
92.
刻蚀法制备的子点阵及它们的荧光性质
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
93.
用等离子体氦离子注入实现Smart Cut
邹子英
;
闵靖
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
等离子体;
氦离子注入;
Smart Cut;
94.
多晶碳化硅的氧化技术研究
李跃进
;
贾护军
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
多晶碳化硅;
氧化技术;
95.
BDN Langmuir-Blodgett膜气体敏感机理
杨得全
《第六届全国固体薄膜学术会议》
|
1998年
气体敏感机理;
LB膜;
96.
超薄金属薄膜的电阻弛豫及其与C 60的相互作用
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
97.
LBO晶体增透膜的镀制官月英
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
98.
a-SiC xN y:H薄膜光学测试*
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
99.
碳化铬薄膜界面扩散反应的AES研究
姚文清
;
郑斌
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
碳化铬薄膜;
界面扩散反应;
AES;
100.
AuGeNi/TiNAu与、n-GaAs欧姆接触性能研究
《第六届全国固体薄膜学术会议》
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1998年
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