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许国阳;
中国电子学会;
半绝缘InP掩埋;
机译:将1.55μmInGaAsP / InP激光器掩埋在半绝缘InP衬底上的高电阻外延层中
机译:使用多层接触结构的低电阻1.55μmInGaAsP / InP半绝缘掩埋异质结构激光二极管
机译:半绝缘InP:Fe用于气体源分子束外延生长的掩埋异质结构应变补偿量子级联激光器
机译:1.55 µm AlGaInAs半绝缘掩埋异质结构分布式反射器激光器的40 Gbps直接调制,温度高达85°C
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:太赫兹光谱区中半绝缘掺铁InP的介电性能
机译:半绝缘InP上非常低阈值的GaInAsP激光器与金属绝缘体半导体场效应晶体管的单片集成
机译:用于波分复用高速分布式计算的InGaasp / Inp基1.3 / 1.55微米垂直腔面发射激光器。阶段1。
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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