退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘金平; 黄大定;
中国电子学会;
GSMBE大组分; SiGe合金; B原位掺杂;
机译:通过原位掺杂选择性Cvd外延生长形成具有嵌入Sige源极/漏极的高Ge组分本征Sige-异质沟道Mosfets
机译:基于SiGE固体溶液的原位掺杂在SiGe固体溶液通过火花等离子体烧结技术
机译:结合原位HCl HCl蚀刻和原位掺杂外延SiGe重生长的超浅结的新技术
机译:Si / SiGe异结构隧穿场效应晶体管与原位掺杂SiGE SiGE源
机译:调制掺杂的Si / SiGe量子阱结构的传输性质。
机译:低温(13.56 MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中使用H稀释终止Si和Ge原子的研究
机译:原位掺杂多SiGe热电材料的表征
机译:用于光电器件的原位GsmBE生长监测
机译:采用氧化硅封装,早期晕圈和扩展注入的28 nm低功率/高性能技术,用于PMOS器件的中间原位掺杂SiGe结
机译:采用氧化硅封装,早期晕圈和延伸注入的28 nm低功率/高性能技术,用于PMOS器件的后期原位掺杂SiGe结
机译:采用氧化硅封装,早期光晕和扩展注入的28 NM低功率/高性能技术上的PMOS器件的原位掺杂SIGE结
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。