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International Conference on Ultimate Integration on Silicon
International Conference on Ultimate Integration on Silicon
召开年:
2013
召开地:
Coventry(GB)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Specific features of fluorination of silicon surface region by RIE in r.f. CF
4
plasma — novel method of improving electrical properties of thin PECVD silicon dioxide films
机译:
RIE在R.F中的硅表面区域氟化的具体特征。 CF
4 INF>等离子体 - 改善薄PECVD二氧化硅膜电特性的新方法
作者:
Kalisz Malgorzata
;
Mroczynski Robert
;
Beck Romuald B.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
2.
RF performance of the novel planar-type body-connected FinFET fabricated by isolation-last and self-alignment process
机译:
通过隔离 - 最后和自对准过程制造的新型平面式车身连接FinFET的RF性能
作者:
Lin Po-Hsieh
;
Lin Jyi-Tsong
;
Eng Yi-Chuen
;
Chang Yu-Che
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
3.
Monte Carlo simulation of a 20 nm gate length implant free quantum well Ge pMOSFET with different lateral spacer width
机译:
Monte Carlo模拟20nm栅极长度的植入量子孔Ge Pmosfet,具有不同的横向间隔宽度
作者:
Chan KahHou
;
Benbakhti Brahim
;
Riddet Craig
;
Watling Jeremy
;
Asenov Asen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
4.
NEGF simulations of a junctionless Si gate-all-around nanowire transistor with discrete dopants
机译:
具有离散掺杂剂的无连接SI门 - 全周系纳米线晶体管的negf模拟
作者:
Martinez A.
;
Brown A. R.
;
Roy S.
;
Asenov A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
5.
Numerical investigation on the junctionless nanowire FET
机译:
无连接纳米线FET的数值研究
作者:
Gnani E.
;
Gnudi A.
;
Reggiani S.
;
Baccarani G.
;
Shen N.
;
Singh N.
;
Lo G. Q.
;
Kwong D. L.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
6.
Impact of strain and Ge concentration on the performance of planar SiGe band-to-band-tunneling transistors
机译:
应变和GE浓度对平面SiGe带带隧穿晶体管性能的影响
作者:
Schmidt M.
;
Minamisawa R. A.
;
Richter S
;
Hartmann J.-M.
;
Luptak R.
;
Tiedemann A.
;
Buca D.
;
Zhao Q. T.
;
Mantl S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
7.
AC analysis of defect cross sections using non-radiative MPA quantum model
机译:
非辐射MPA量子模型的缺陷横截面AC分析
作者:
Garetto Davide
;
Randriamihaja Yoann Mamy
;
Zaka Alban
;
Rideau Denis
;
Schmid Alexandre
;
Jaouem Herve
;
Leblebici Yusuf
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
关键词:
AC analysis;
multiphonon trapping model;
trap cross-section;
8.
Mobility extraction in sub 10nm nanowire nMOSFETs with gadolinium-silicate as gate dielectric
机译:
亚10nm纳米线NMOSFET中的迁移率萃取用钆硅酸盐作为栅极电介质
作者:
Schmidt M.
;
Gottlob H. D. B.
;
Bolten J.
;
Wahlbrink T.
;
Kurz H.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
9.
Fully etched grating couplers for atomic layer deposited horizontal slot waveguides
机译:
用于原子层的完全蚀刻光栅耦合器沉积水平槽波导
作者:
Naiini Maziar Manouchehry
;
Malm Gunnar
;
Ostling Mikael
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
10.
Table of content
机译:
表中的内容
作者:
{missing}
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2011年
11.
Foreword to ULIS 2013
机译:
前言至2013年乌贼
作者:
Leadley David
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
12.
Hole-phonon energy loss rate in boron doped silicon
机译:
硼孔孔掺杂硅的能量损失率
作者:
Richardson-Bullock J.S.
;
Prest M.J.
;
Prunnila M.
;
Gunnarsson D.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
13.
Optical simulation of ZnO/CdTe and c-Si/a-Si vertical nanowires solar cells
机译:
ZnO / CDTE和C-Si / A-Si垂直纳米线太阳能电池的光学仿真
作者:
Zanuccoli Mauro
;
Michallon Jerome
;
Semenikhin Igor
;
Kaminski-Cachopo Anne
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
14.
Gate-all-around Si nanowire array tunnelling FETs with high on-current of 75 #x00B5;A/#x00B5;m @ VDD=1.1V
机译:
门 - 全部围绕Si纳米线阵列隧道FET,具有高电流为75μA/μm/μm@ VDD = 1.1V
作者:
Knoll Lars
;
Richter S.
;
Nichau A.
;
Schafer A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
15.
Non-parabolicity in Si-(110) nMOSFETs: Analytic and numerical results for the two-band k #x00B7; p model
机译:
在SI-(110)中的非抛物率:双带K·P型号的分析和数值结果
作者:
Donetti Luca
;
Gamiz Francisco
;
Biel Blanca
;
Sampedro Carlos
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
16.
Modelling of reliability of nanoscale MOSFETs within the discrete charge trapping paradigm
机译:
离散电荷诱捕范式内纳米MOSFET可靠性建模
作者:
Adamu-Lema Fikru
;
Amoroso Salvatore M.
;
Gerrer Louis
;
Asenov Asen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
BTI;
CMOS;
Charge-trapping;
RTN;
TAT;
degradation;
device simulation;
reliability;
variability;
17.
Loss analysis of silicon solar cells by means of numerical device simulation
机译:
借鉴数控仿真硅太阳能电池损耗分析
作者:
De Rose R.
;
Magnone P.
;
Zanuccoli M.
;
Sangiorgi E.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
18.
Cooltronics: A new low-temperature tunneling-technology based on Silicon
机译:
Cooltronics:基于硅的新型低温隧道技术
作者:
Whall T.E.
;
Prest M.J.
;
Richardson-Bullock J.S.
;
Shah V.A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
19.
Monte carlo simulation of the effect of interface roughness in Implant-Free Quantum-Well MOSFETs
机译:
Monte Carlo仿真界面粗糙度在无植入量子阱MOSFET中的效果
作者:
Towie Ewan A.
;
Riddet Craig
;
Asenov Asen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Ge;
IIIamp;
#x2013;
V;
InGaAs;
metal-oxide-semiconductor FETs;
single gate;
20.
Simulation of nano-biosensors based on conventional TCAD
机译:
基于常规TCAD的纳米生物传感器仿真
作者:
Palestri P.
;
Sette R.
;
Pittino F.
;
Saccon F.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
21.
III–V heterostructure-on-insulator for strain studies in n-InGaAs channels
机译:
III-V异质结构用于N-InGaAs频道的应变研究
作者:
Weigele P.
;
Czornomaz L.
;
Caimi D.
;
Daix N.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
22.
Strain transfer structure as a mobility booster for fully-depleted SOI MOSFETs at the 10nm node
机译:
应变转移结构作为10nM节点的全耗尽SOI MOSFET的移动增强器
作者:
Morvan S.
;
Andrieu F.
;
Barbe J.-C.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
23.
Non-parabolic band effects on the electrical properties of superlattice FETs
机译:
对超晶格FET的电气性质的非抛物带效应
作者:
Maiorano P.
;
Gnani E.
;
Grassi R.
;
Gnudi A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Non-parabolicity effects;
kamp;
#x00B7;
p band structure;
nanowire field-effect transistor (NW-FET);
superlattice-based NW-FET;
24.
SiGe on SOI nanowire array TFETs with homo- and heterostructure tunnel junctions
机译:
SIGE ON SOI纳米线阵列TFET与同性恋隧道连接点
作者:
Richter S.
;
Blaeser S.
;
Knoll L.
;
Trellenkamp S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
SiGe;
TFET;
heterostructure;
nanowire;
25.
Mobility extraction assessment in GAA Si NW JL FETs with cross-section down to 5 nm
机译:
Gaa Si NW JL FET中的移动提取评估,横截面下降至5 nm
作者:
Najmzadeh Mohammad
;
Sallese Jean-Michel
;
Berthome Matthieu
;
Grabinski Wladek
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Accumulation;
Corner effect;
Junctionless;
Mobility extraction;
Multi-gate;
Si nanowire;
TCAD simulation;
26.
Paving the way for ultimate device scaling through nanoelectronic device simulations
机译:
通过纳米电子器件模拟铺平终极设备缩放的方式
作者:
Luisier Mathieu
;
Szabo Aron
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Quantum transport;
Si nanowire field-effect transistors;
device scaling;
full-band and atomistic simulations;
source-to-drain tunneling;
27.
Prospects for SiGe thermoelectric generators
机译:
SiGe热电发电机的前景
作者:
Paul D.J.
;
Samarelli A.
;
Ferre Llin L.
;
Watling J.R.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
28.
Mechanical resonators on CMOS for integrated passive band pass filters
机译:
集成无源带通滤器CMOS上的机械谐振器
作者:
Kazmi S.N.R.
;
Salm C.
;
Schmitz J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
CMOS;
GeSi;
Lamamp;
#x00E9;
mode;
MEMS;
SiGe;
above-IC;
filter;
germanium;
microtechnology;
resonator;
silicon;
software defined radio;
29.
Two-dimensional bias dependent model for the screening length in double-gate Tunnel-FETs
机译:
双栅极隧道 - FET中筛选长度的二维偏置依赖模型
作者:
Graef Michael
;
Schwarz Mike
;
Holtij Thomas
;
Hain Franziska
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
2D Poisson;
Double-Gate (DG) Tunnel-FET;
analytical modeling;
physics-based current model;
screening length;
tunneling current;
30.
Novel fabrication technique for Ge membranes
机译:
novel fabrication technique forge membranes
作者:
Shah V.A.
;
Myronov M.
;
Bawden L.
;
Prest M.J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Ge;
RP-CVD;
TMAH;
anisotropic;
conduction;
dislocation;
etch;
germanium;
31.
Limits and improvements of TCAD piezoresistive models in FDSOI transistors
机译:
FDSOI晶体管中TCAD压阻模型的限制和改进
作者:
Nier O.
;
Rideau D.
;
Clerc R.
;
Barbe J.C
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
FDSOI;
Strain;
TCAD;
non-linear piezoresistance;
32.
Silicon nanowires integrated in a fully depleted CMOS process for charge based biosensing
机译:
硅纳米线集成在完全耗尽的CMOS工艺中,用于基于电荷的生物传感
作者:
Jayakumar G.
;
Asadollahi A.
;
Hellstrom P.-E.
;
Garidis K.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
CMOS;
SOI;
STL;
biosensing;
nanowire;
33.
Experimental evidence for a quantum wire state in HfO2-based VCM-RRAM
机译:
基于HFO2的VCM-RRAM中量子线状态的实验证据
作者:
Lian Xiaojuan
;
Miranda Enrique
;
Long Shibing
;
Perniola Luca
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
RRAM;
non-voltatile memories;
quantum wire;
resistive switching;
34.
Flexural mode dispersion in ultra-thin Ge membranes
机译:
超薄GE膜中的弯曲模式分散
作者:
Chavez E.
;
Gomis-Bresco J.
;
Alzina F.
;
Reparaz J.S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Brillouin light scattering spectroscopy;
Free-standing germanium membranes;
35.
Impact of the statistical variability on 15nm III–V and Ge MOSFET based SRAM design
机译:
基于SRAM设计的15nm III-V和GE MOSFET的统计变异性对SRAM设计的影响
作者:
Liao Si-Yu
;
Towie Ewan A.
;
Balaz Daniel
;
Riddet Craig
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
IIIamp;
#x2013;
V;
MOSFET;
SRAM;
compact model;
germanium;
variability;
36.
Modeling of the impact of source/drain regions on short channel effects in MOSFETs
机译:
源/漏区对MOSFET中短信效应的影响建模
作者:
Dutta T.
;
Rafhay Q.
;
Pananakakis G.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
S/D regions;
boundary conditions;
built-in potential;
short channel effects;
37.
Advanced gate stack work function optimization and substrate dependent strain interactions on HKMG first stacks for 28nm VLSI ultra low power technologies
机译:
高级门堆栈工作功能优化和基板依赖于HKMG第一堆栈的基板依赖应变相互作用28nm VLSI超低功率技术
作者:
Hoentschel Jan
;
Ong Shiang Yang
;
Balzer Torben
;
Sassiat Nicolas
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
38.
Statistical approach to the RESET switching of the HfO2-based solid electrolyte memory
机译:
基于HFO2的固体电解质存储器的复位切换的统计方法
作者:
Yang Xiaoyi
;
Long Shibing
;
Zhang Kangwei
;
Lian Xiaojuan
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
resistive switching;
solid electrolyte memory;
statistics;
39.
Heterogeneous micro/nano-electronics: Towards the maturity learning into the zero variability era
机译:
异质微/纳米电子:朝向零变化时代的成熟度学习
作者:
Deleonibus Simon
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
3D;
CMOSFETs;
Carbon;
FDSOI;
FinFET;
Germanium;
Heterogeneous integration;
Multigates;
Nanowires;
Silicon;
Silicon on insulator technology;
Strain;
System on Wafer;
Wafer bonding;
Zero Variability;
sequential integration;
strain;
40.
Exploring the field-effect control of breakdown paths in lateral W/HfO2/W structures
机译:
探索横向W / HFO2 / W结构中击穿路径的现场效应控制
作者:
Saura X.
;
Lian X.
;
Jimenez D.
;
Miranda E.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
41.
Parameters extraction in SiGe/Si pMOSFETs using split CV technique
机译:
SiGe / Si PMOSFET中的参数提取使用分割CV技术
作者:
Soussou A.
;
Leroux C.
;
Rideau D.
;
Toffoli A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Poisson-Schrodinger simulations;
Si pMOSFET;
Si0.7Ge0.3/Si pMOSFET;
SiGe impact;
parameter extraction;
split CV;
42.
Qualitative and quantitative differences between non-crystalline and nano-crystalline oxides in device technologies
机译:
器件技术中非结晶和纳米结晶氧化物之间的定性和定量差异
作者:
Lucovsky Gerald
;
Kim Jinwoo
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
HfO2;
Magneli phase alloys;
TiO2;
TiO2-HfO2 alloys;
X-ray absorption and photo emission spectroscopies;
ligand feild splitting;
memory and switching devices;
n-c SiO2;
nc-GeO2;
remote plasma processing;
43.
Variability of short channel junctionless field-effect transistors caused by fluctuation of dopant concentration
机译:
掺杂剂浓度波动引起的短通道连接场效应晶体管的可变性
作者:
Migita Shinji
;
Matsukawa Takashi
;
Morita Yukinori
;
Masahara Meishoku
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Junctionless-FET;
SOI;
dopant concentration;
subthreshold swing;
threshold voltage;
variation;
44.
Drain bias impact on statistical variability and reliability in 20 nm bulk CMOS technology
机译:
排水偏差对20nm散装CMOS技术的统计变异性和可靠性的影响
作者:
Wang Xingsheng
;
Brown Andew R.
;
Cheng Binjie
;
Asenov Asen
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
DIBL;
drain bias;
threshold voltage;
variation;
45.
High-k dielectric FinFETs towards sensing integrated circuits
机译:
高k介电FINFET朝向传感集成电路
作者:
Rigante S.
;
Scarbolo P.
;
Bouvet D.
;
Wipf M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
FinFET;
bulk Si;
high-k dielectric;
label-free sensor;
local SOI;
microfluidic platform;
pH sensing;
46.
Thermally grown GeO2 on epitaxial Ge on Si(001) substrate
机译:
在Si(001)衬底上的外延Ge上的热生长Geo2
作者:
Casteleiro Catarina
;
Halpin John E.
;
Shah Vishal A.
;
Myronov Maksym
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Germanium oxide;
Oxidation;
Surface passivation;
Thermal growth;
47.
Detailled characterisation of SOI n-FinFETs at very low temperature
机译:
低温下土壤中土壤中的详细表征
作者:
Achour H.
;
Cretu B.
;
Routoure J.-M.
;
Carin R.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
DC performances;
FinFET;
low frequency noise;
very low temperature operation;
48.
Pure Ge quantum well with high hole mobility
机译:
纯GE量子良好的高孔流动性
作者:
Hassan A.H.A.
;
Mironov O.A.
;
Feher A.
;
Cizmar E.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
2DHG;
Ge quantum well;
Ge/SiGe;
hole mobility;
49.
Model for investigation of Ion/Ioff ratios in short-channel junctionless double gate MOSFETs
机译:
短通道连接双栅极MOSFET中离子/ IOFF比率的研究模型
作者:
Holtij Thomas
;
Schwarz Mike
;
Graef Michael
;
Hain Franziska
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Analytical modeling;
Ion/Ioff ratio;
conformal mapping;
junctionless DG MOSFET;
potential solution;
50.
Characterization of thulium silicate interfacial layer for high-k/metal gate MOSFETs
机译:
高k /金属栅极MOSFET的硅酸盐界面层的表征
作者:
Dentoni Litta E.
;
Hellstrom P.-E.
;
Henkel C.
;
Ostling M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
LaSiO;
TmSiO;
high-k;
interfacial layer;
silicate;
51.
Accurate and efficient physical simulation of program disturb in scaled NAND flash memories
机译:
缩放NAND闪存中的程序干扰精确高效的物理仿真
作者:
Kuligk Angelika
;
Nguyen Chi Dong
;
Lohr Daniel-Andre
;
Beyer Volkhard
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Monte Carlo simulation;
NAND flash memory;
hot carrier injection;
program disturb;
52.
Using platinum silicide as a superconductor for silicon electron coolers
机译:
使用铂硅化物作为硅电子冷却器的超导体
作者:
Prest M.J.
;
Zhao Q.T.
;
Muhonen J.T.
;
Shah V.A.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
cooling;
electron;
millikelvin;
platinum;
silicide;
superconductor;
53.
Impact of design engineering on RF linearity and noise performance of nanoscale DG SOI MOSFETs
机译:
设计工程对纳米DG SOI MOSFET射频线性度和噪声性能的影响
作者:
Sharma Rupendra Kumar
;
Antonopoulos Angelos
;
Mavredakis Nikos
;
Bucher Matthias
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Noise performance;
RF Linearity;
double gate MOSFET;
dual material gate;
graded channel;
54.
Influence of the valley degeneracy on spin relaxation in thin silicon films
机译:
谷天才对薄硅膜旋转弛豫的影响
作者:
Osintsev Dmitry
;
Sverdlov Viktor
;
Selberherr Siegfried
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
55.
Analytical drain current model using temperature dependence model in nanoscale Double-Gate (DG) MOSFETs
机译:
纳米级双栅极(DG)MOSFET中温度依赖模型的分析漏极电流模型
作者:
Cheralathan M.
;
Sampedro C.
;
Gamiz F.
;
Iniguez B.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
56.
Integration aspects of strained Ge pFETs
机译:
紧张的GE PFET的集成方面
作者:
Witters L.
;
Eneman G.
;
Mitard J.
;
Vincent B.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Germanium;
strain;
strain relaxed buffer;
57.
Nano-scale order in hydrogenated amorphous silicon a-Si,H and doped a-Si(H) Defect reduction for device applications
机译:
纳米级顺序在氢化非晶硅A-Si,H和掺杂A-Si(H)缺陷减少装置应用
作者:
Lucovsky Gerald
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
X-ray absorption and photo emission spectroscopies;
amorpous Si;
crystaline Si;
medium and long range order;
nano-grain Si;
non-crsytalline SiO2;
short;
58.
Split pocket p-n-i-n tunnel field-effect transistors
机译:
拆分口袋P-N-I-N隧道场效应晶体管
作者:
Verreck Devin
;
Verhulst Anne S.
;
Groeseneken Guido
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
59.
Ab initio validation of continuum models for Si/SiO2 interfaces
机译:
用于SI / SIO2接口的连续内模型的AB INITIO验证
作者:
Biel Blanca
;
Donetti Luca
;
Godoy Andres
;
Gamiz Francisco J.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
SOI;
SiO2;
ab initio;
interfaces;
kamp;
#x00B7;
p;
60.
Nanoelectromechanical microwave switch based on graphene
机译:
基于石墨烯的纳米机电微波开关
作者:
Sharma Pankaj
;
Perruisseau Carrier Julien
;
Ionescu Adrian M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Nanoelectromechanical switch;
RF MEMS (NEMS);
graphene;
microwaves and millimeter waves;
suspended;
61.
Self-aligned double patterning of 1#x00D7; nm FinFETs; A new device integration through the challenging geometry
机译:
1×NM FINFET的自对双图案化;通过挑战几何的新设备集成
作者:
Kim M.-S.
;
Vandeweyer T.
;
Altamirano-Sanchez E.
;
Dekkers H.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
formatting;
insert;
style;
styling;
62.
Fringing field and short channel effects in thin-body SOI MOSFETs with shallow source/drain
机译:
浅源/排水薄体SOI MOSFET中的条纹田和短频道效果
作者:
Hsia Jui-Kai
;
Shih Chun-Hsing
;
Kang Ting-Shiuan
;
Chien Nguyen Dang
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Fringing Field;
SOI MOSFETs;
Shallow Source/Drain;
Short-Channel Effect;
Silicon-on-Insulator;
63.
Simulation methodology for 2D random network of CNTs field-effect transistors
机译:
用于CNTS场效应晶体管2D随机网络的仿真方法
作者:
Joo Min-Kyu
;
Mouis Mireille
;
Kim Gyu-Tae
;
Kim Un Jeong
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Carbon nanotube (CNT);
SPICE simulation;
percolation theory;
sensor applications;
64.
Silicon and the wide bandgap semiconductors, shaping the future power electronic device market
机译:
硅和宽带隙半导体,塑造未来的电力电子设备市场
作者:
Gammon Peter
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
65.
Porous Si as a substrate material for RF passive integration
机译:
多孔Si作为RF无源集成的基板材料
作者:
Nassiopoulou A.G
;
Hourdakis E
;
Sarafis P.
;
Ferrari Ph
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Porous Si;
RF passives;
RF substrates;
coplanar wave-guide transmission lines;
66.
Si based tunnel field effect transistors: Recent achievements
机译:
基于SI的隧道场效应晶体管:最近的成就
作者:
Mantl Siegfried
;
Knoll Lars
;
Schmidt Matthias
;
Richter Simon
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2013年
关键词:
Tunnel-FET;
inverter;
strained Si Nanowire;
subthreshold slope;
ultralow power electronics;
67.
Foreword
机译:
前言
作者:
(missing)
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
68.
Committees
机译:
委员会
作者:
(missing)
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
69.
Nanometer-scale system design challenges: Bridging the gap from devices to architectures
机译:
纳米级系统设计挑战:将差距从设备缩小到架构
作者:
Leblebici Yusuf
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
70.
Author index
机译:
作者索引
作者:
(missing)
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
71.
On the use of nanoelectronic logic cells based on metallic Single Electron Transistors
机译:
基于金属单电子晶体管的纳米电子逻辑电池的用途
作者:
Bounouar Mohamed Amine
;
Beaumont Arnaud
;
Calmon Francis
;
Drouin Dominique
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
72.
Low-frequency noise behaviour of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton
机译:
散装和DTMOS三栅设备下的低频噪声行为60 meV质子辐照
作者:
de Andrade Maria Gloria Cano
;
Martino Joao Antonio
;
Aoulaiche Marc
;
Collaert Nadine
;
Simoen Eddy
;
Claeys Cor
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
73.
Nanowire and planar UTB SOI Schottky Barrier MOSFETs with dopant segregation
机译:
纳米线和平面UTB SOI肖特基屏障MOSFET具有掺杂剂分离
作者:
Knoll L.
;
Schafer A.
;
Trellenkamp S.
;
Bourdelle K. K.
;
Zhao Q. T.
;
Mantl S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
74.
Orientational and strain dependence of the mobility in silicon nanowires
机译:
硅纳米线中迁移率的取向和应变依赖性
作者:
Niquet Y. M.
;
Delerue C.
;
Rideau D.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
75.
Impact of local back biasing on performance in hybrid FDSOI/bulk high-k/metal gate low power (LP) technology
机译:
局部背部偏置对混合FDSOI /散装高k /金属栅极低功率(LP)技术的影响
作者:
Fenouillet-Beranger C.
;
Perreau P.
;
Benoist T.
;
Richier C.
;
Haendler S.
;
Pradelle J.
;
Bustos J.
;
Brun P.
;
Tosti L.
;
Weber O.
;
Andrieu F.
;
Orlando B.
;
Pellissier-Tanon D.
;
Abbate F.
;
Pvichard C.
;
Beneyton R.
;
Gregoire M.
;
Ducote J.
;
Gouraud P.
;
Margain A.
;
Borowiak C.
;
Bianchini R.
;
Planes N.
;
Gourvest E.
;
Bourdelle K. K.
;
Nguyen B. Y.
;
Poiroux T.
;
Skotnicki T.
;
Faynot O.
;
Boeuf F.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
76.
Numerical simulation and modeling of thermal transient in silicon power devices
机译:
硅功率器件中热瞬态的数值模拟与建模
作者:
Magnone P.
;
Fiegna C.
;
Greco G.
;
Bazzano G.
;
Rinaudo S.
;
Sangiorgi E.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
77.
Charge granularity in single electron transistors with polysilicon gates
机译:
具有多晶硅栅极的单电子晶体管中的电荷粒度
作者:
Kotekar-Patil Dharmraj
;
Jauerneck Stefan
;
Ruoff Matthias
;
Wharam David
;
Kern Dieter
;
Jehl Xavier
;
Wacquez Romain
;
Sanquer M.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
78.
Downscaling ferroelectric field effect transistors by using ferroelectric Si-doped HfO2
机译:
使用铁电Si-掺杂HFO2缩小铁电场效应晶体管
作者:
Martin Dominik
;
Yurchuk Ekaterina
;
Muller Stefan
;
Muller Johannes
;
Paul Jan
;
Sundquist Jonas
;
Slesazeck Stefan
;
Schloesser Till
;
van Bentum Ralf
;
Trentzsch Martin
;
Schroeder Uwe
;
Mikojajick Thomas
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
79.
Very large piezoresistance in Si1#x2212;xGex alloys
机译:
Si1&#x2212中的非常大的压阻; XGex合金
作者:
Murphy-Armando F.
;
Fahy S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
80.
Single electron CMOS-like one bit full adder
机译:
单电子CMOS - 就像一位完整的加法器
作者:
Griveau D.
;
Ecoffey S.
;
Parekh R. M.
;
Bounouar M. A.
;
Calmon F.
;
Beauvais J.
;
Drouin D.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
81.
In depth analysis of dopant effect on high-k metal gate effective work function
机译:
深度分析高k金属栅极有效功效的掺杂剂效应
作者:
Leroux C.
;
Baudot S.
;
Charbonnier M.
;
Van Deer Geest A.
;
Caubet P.
;
Toffoli A.
;
Blaise Ph.
;
Ghibaudo G.
;
Martin F.
;
Reimbold G.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
82.
Mobility and strain effects for #x003C;100#x003E; and #x003C;110#x003E; oriented silicon and SiGe transistor channels
机译:
< 100&#x003e的移动性和应变效应; 和< 110> 定向硅和SiGe晶体管通道
作者:
Flachowsky S.
;
Herrmann T.
;
Hontschel J.
;
Illgen R.
;
Ong Shiang Yang
;
Wiatr M.
;
Baldauf T.
;
Klix W.
;
Stenzel R.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
83.
Impact of substrate orientation on Ultra Thin BOX Fully Depleted SOI electrical performances
机译:
基板取向对超薄盒的影响完全耗尽了SOI电气性能
作者:
Ben Akkez I.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Cros A.
;
Perreau P.
;
Haendler S.
;
Weber O.
;
Andrieu F.
;
Pellissier-Tanon D.
;
Abbate F.
;
Richard C.
;
Beneyton R.
;
Gouraud P.
;
Margain A.
;
Borowiak C.
;
Gourvest E.
;
Bourdelle K. K.
;
Nguyen B. Y.
;
Poiroux T.
;
Skotnicki T.
;
Faynot O.
;
Balestra F.
;
Ghibaudo G.
;
Boeuf F.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
84.
Investigation of localized versus uniform strain as a performance booster in InAs Tunnel-FETs
机译:
局部化与统一菌株的调查,作为隧道隧道隧道的性能助推器
作者:
Conzatti F.
;
Pala M. G.
;
Esseni D.
;
Bano E.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
85.
Experimental investigation on direction dependence of Si (100) and Si (110) hole mobility in ultra-thin body pFETs
机译:
超薄体PFET中Si(100)和Si(110)孔孔流动性方向依赖性的实验研究
作者:
Kutsuki Tomohiro
;
Shimizu Ken
;
Nomura Hirotoshi
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshihiro
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
86.
Efficient DC and AC simulation of nanoelectrode-nanoparticle interactions in capacitive biosensors
机译:
纳米电极纳米粒子相互作用的高效DC和AC模拟在电容性生物传感器中的相互作用
作者:
Pittino Federico
;
Widdershoven Frans
;
Selmi Luca
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
87.
Characteristics control of single electron transistor with floating gate by charge pump circuit
机译:
电荷泵电路浮栅单电子晶体管的特性控制
作者:
Nozue Motoki
;
Suzuki Ryota
;
Nomura Hirotoshi
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
88.
Si/SiGe hetero-structure tunneling field effect transistors with in-situ doped SiGe source
机译:
Si / SiGe异结构隧穿场效应晶体管与原位掺杂SiGE SiGE源
作者:
Schmidt M.
;
Knoll L.
;
Richter S.
;
Schafer A.
;
Hartmann J.-M.
;
Zhao Q. T.
;
Mantl S.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
89.
Compact (Wg/Lg#x003D;80/85nm) FDSOI 1T-DRAM programmed by Meta Stable Dip
机译:
紧凑型(WG / LG= 80 / 85nm)FDSOI 1T-DRAM由META稳定倾角进行编程
作者:
Romanjek K.
;
Andrieu F.
;
Cluzel J.
;
Brevard L.
;
Perreau P.
;
Tabone C.
;
Guegan G.
;
Poiroux T.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
90.
Explicit model for tunneling and thermionic current in Schottky barrier Double-Gate MOSFETs
机译:
肖特基势垒双栅MOSFET隧道隧道和热离子电流的显式模型
作者:
Schwarz Mike
;
Holtij Thomas
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
91.
Transport behaviors of graphene 2D field-effect transistors on boron nitride substrate
机译:
石墨烯2D场效应晶体管的运输行为在氮化硼衬底上的晶体管
作者:
Alarcon A.
;
Nguyen V. Hung
;
Saint-Martin J.
;
Bournel A.
;
Dollfus P.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
92.
TAMTAMS: A flexible and open tool for UDSM process-to-system design space exploration
机译:
Tamtams:用于UDSM流程到系统设计空间探索的灵活开放的工具
作者:
Vacca Marco
;
Graziano Mariagrazia
;
Demarchi Danilo
;
Piccinini Gianluca
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
93.
Accurate modeling of SOI Multi-Gate FETs and their transient response to radiation
机译:
SOI多栅FET的精确建模及其对辐射的瞬态响应
作者:
Turowski Marek
;
Raman Ashok
;
Xiong Weize
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
94.
Multi-subband semi-classical simulation of n-type Tunnel-FETs
机译:
n型隧道 - FET的多子带半古典模拟
作者:
Revelant A.
;
Palestri P.
;
Selmi L.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
95.
Strain engineering in suspended graphene devices for pressure sensor applications
机译:
用于压力传感器应用的悬浮石墨烯装置的应变工程
作者:
Smith A. D.
;
Vaziri S.
;
Delin A.
;
Ostling M.
;
Lemme M. C.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
96.
On extraction of self-heating features in UTBB SOI MOSFETs
机译:
关于UTBB SOI MOSFET中自加热功能的提取
作者:
Makovejev S.
;
Olsen S.
;
Andrieu F.
;
Poiroux T.
;
Faynot O.
;
Flandre D.
;
Raskin J.-P.
;
Kilchytska V.
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
97.
2D analytical potential modeling of junctionless DG MOSFETs in subthreshold region including proposal for calculating the threshold voltage
机译:
亚阈值区域中的无连接DG MOSFET的图2D分析潜在建模,包括用于计算阈值电压的建议
作者:
Holtij Thomas
;
Schwarz Mike
;
Kloes Alexander
;
Iniguez Benjamin
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
98.
Quantum point contact model of filamentary conduction in resistive switching memories
机译:
电阻切换回忆中丝状导通量子点接触模型
作者:
Lian Xiaojuan
;
Long Shibing
;
Cagli Carlo
;
Buckley Julien
;
Miranda Enrique
;
Liu Ming
;
Sune Jordi
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
99.
Device scaling model for bulk FinFETs
机译:
散装FINFET的设备缩放模型
作者:
Medury A.
;
Mercha K.
;
Ritzenthaler R.
;
De Keersgieter A.
;
Chiarella T.
;
Collaert N.
;
Bhat N.
;
Bhat K. N
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
100.
High mobility CMOS technologies using III-V/Ge channels on Si platform
机译:
在SI平台上使用III-V / GE频道的高移动性CMOS技术
作者:
Takagi Shinichi
;
Takenaka Mitsuru
会议名称:
《International Conference on Ultimate Integration on Silicon》
|
2012年
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