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姚振钰; 贺洪波;
中国电子学会;
P-Si(111); 溅射; ZnO薄膜; 结构特性;
机译:MgO(111)上ZnO薄膜的外延生长及其结构和光学特性
机译:磁控溅射ZnO薄膜沉积在聚合物基底上的生长,光学和纳米结构特性
机译:热退火对在p-Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜的表面和微观结构特性的影响
机译:改进的Au纳米颗粒/ p-Si上ZnO薄膜的生长质量
机译:氧相在铂(111)和钯(111)上的生长特性和反应性。
机译:不同生长角度的射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学性质
机译:p-si上ZnO薄膜的制备及p-si / n-ZnO的I-V特性
机译:在非平面Gaas(111)B上通过molecularBeam外延生长实现光学活性三维约束结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:伏安-韦伯法在硅基板(111)上通过大面积纳米印迹法生长砷化镓纳米线,可根据设备的特性控制带隙能量
机译:ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管的制造方法,ZnO薄膜结构和ZnO薄膜晶体管
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