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卢焕明;
中国电子学会;
SiGe组分;
机译:Rutherford背向散射研究了在具有组成渐变缓冲层的Si衬底上生长的应变松弛SiGe膜
机译:插入组成渐变的SiGe缓冲液中的薄应变层及其对应变松弛和位错的影响
机译:HV / CVD生长的SiGe HMOSFET的生长松弛SiGe缓冲层
机译:在体晶SiGe衬底上UHV / CVD Si / SiGe应变层超晶格的生长和表征
机译:支撑刚度对输电线路驰豫幅度的影响分析(有限元,模拟,动力学)
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:在块状单晶SiGe和Si衬底上的UHV / CVD SiGe外延层的生长和表征
机译:应变松弛和表面粗糙度作为线性渐变In(x)al(1-x)as(x = 0.05至0.25)缓冲液中生长温度的函数。
机译:液化天然气(LNG)厂的驰豫气管线从驰豫鼓延伸到驰豫气单元,与天然气液化厂隔离,将驰豫气传导到驰豫气单元
机译:具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
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