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UHV／CVD生长Si<,1-X>Ge<,X>／Si合金锗偏聚的研究

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该文利用超高真空化学气相沉积系统（UHV／CVD）生长了锗硅外延层。

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来源
《第六届全国固体薄膜学术会议》|1998年|5-7|共3页
会议地点成都
作者
黄靖云;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN324.26;
关键词
Si,1-XGe,X/Si合金锗偏聚的研究;

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