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硅上异质外延γ氧化铝对衬底硅的影响

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高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-A1<,2>O<,3>／Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在研究人员的实验室生长出γ-Al<,2>O<,3>／Si单晶薄膜它们的结晶关系是（100）γ-Al<,2>O<,3>//（100）si，[010]γ-Al<,2>0<,3>／／［010］Si.γ-Al<,2>O<,3>／Si单晶薄膜与衬底的热胀系数的差异引起界面硅产生大量Cottrell位错。

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来源
《第六届全国固体薄膜学术会议》|1998年|18-20|共3页
会议地点成都
作者
昝育德;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
硅上异质外延;

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