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郑宝真;
中国物理学会;
GaAs/Al,xGa,1-xAs;
机译:氮含量对GaAs / GaAs_(1-x)GaAs / AlGaAs:(Si)量子阱的影响的光致发光研究
机译:应变对重要的III-V量子阱的能带偏移的影响:In_xGa_(1-x)N / GaN,GaAs / In_xGaGa(1-x)P和In_xGa_(1-x)As / AlGaAs
机译:利用光反射光谱研究Al_xGa_(1-x)As / GaAs / Al_xGa_(1-x)As耦合量子阱中尺寸量化的影响
机译:在GaAs / Al_xga_(1-x)中的电子中的和跨空间散射的结构效应,如/ gaas量子阱的in_xga_(1-x)和应变
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:使用AlGaSb接口失配缓冲器在GaAs上生长的Ga(1-x)In(x)Sb量子阱(x〜0.3)的表征
机译:np-(p(+) - n(+)) - n al(y)Ga(1-y)as-Gaas-In(x)Ga(1-x)as量子阱激光器,p(+) - n n + Gaas上的(+)Gaas-InGaas隧道接触
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有Al x Ga 1-x As--AlAs-- GaAs异质结的半导体器件
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
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