优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量

王小军; 郑联喜; 肖智博; 王玉田; 胡雄伟; 王启明

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一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质．超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰，表明超晶格界面质量很好．主要应用X射线双晶衍射方法，给出了样品中各层的应变状态．据此，合理地解释了样品的光学测试结果．

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来源
《半导体学报》 |1997年第2期|85-90|共6页
作者
王小军; 郑联喜; 肖智博; 王玉田; 胡雄伟; 王启明;
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作者单位

国家光电子工艺中心;

集成光电子国家重点实验室中国科学院半导体所区;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
量子阱; 砷化镓; MOCVD生长;

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