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秦福文; 顾彪; 徐茵; 王三胜;
中国材料研究会;
衬底; 预处理; 外延生长; 氮化镓; 化学汽相沉积; 电子回旋共振;
机译:通过分子束外延在(001)病毒取向的GaAs衬底上生长高质量的ZnSe外延层
机译:衬底预处理条件对GaN外延层质量的影响
机译:相邻衬底Si(001)上的GaAs MBE:成核和生长条件对外延层晶体学性质的影响
机译:(001)硅衬底上的硅锗碳异质外延层的离子束改性和表征
机译:1.0-1.16-eV光子应用中接近晶格匹配条件的GaAsSbN / GaAs外延层中Sb和N的掺入相互作用
机译:GaAs(001)上通过分子束外延生长的ZnTe外延层的衬底温度依赖性
机译:Gaas(001)衬底取向偏向(111)对In(x)Ga(1-x)as / Gaas光学性质的影响
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:制备具有在GaAs衬底上沉积的GaN外延层的外延晶片的方法
机译:利用新型GeSi缓冲层在Si衬底上生长GaAs外延层
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