首页> 中文会议>全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 >界面态对HEMT直流输出特性的影响

界面态对HEMT直流输出特性的影响

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着界面态密度的增加。栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。

著录项

来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|184-190|共7页
会议地点宜昌
作者
张兴宏; 胡雨生;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
界面态; HEMT; 直流输出特性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响 [J] . 张兴宏 ,程知群 ,夏冠群 . 半导体学报：英文版 . 1999,第11期
2. AlGaAs/GaAs HEMT中界面态对沟道层电场特性影响的二维数值研究 [J] . 张兴宏 ,杨玉芬 ,王占国 . 半导体学报：英文版 . 1998,第3期
3. 基于电导法的GaN/AlGaN HEMT界面态分析 [J] . 常正阳 . 科技创新导报 . 2011,第026期
4. HEMT及其界面态效应的二维数值模拟 [J] . 相奇 ,罗晋生 ,朱秉升 . 半导体学报：英文版 . 1991,第8期
5. 表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究 [J] . 赵子奇 ,杜江峰 ,罗谦 . 微纳电子技术 . 2006,第3期
6. 界面态对HEMT器件的影响 [C] . 宋迪 ,李志国 ,蔡晓丹 . 中国电子学会第十届青年学术年会 . 2004
7. GaN基HEMTs器件表面态及界面态研究 [A] . 廖雪阳 . 2013

界面态对HEMT直流输出特性的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅