DC Characteristics of InAs/AlSb HEMTs at Cryogenic Temperatures

著录项

• 作者

  Moschetti, G.; Nilsson, P.; Wadefalk, N.; Malmkvist, M.; Lefebvre, E.;

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• 作者单位

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• 年度 2009
• 页码 1-3
• 总页数 3
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 工业技术;
• 关键词

  Aluminum compounds ; Cryogenics ; Direct current ; High electron mobility transistors ; Indium arsenides ; Performance(Engineering) ; Room temperature ; Antimonides ; Electron mobility ; Fabrication ; Low noise ; Low noise amplifiers ; Low power ; Sweden ; Symposia ; Transconductance ; Velocity;

  机译：铝化合物;低温;直流;高电子迁移率晶体管;砷化铟;性能（工程）;室温;锑化物;电子迁移率;制造;低噪声;低噪声放大器;低功率;瑞典;专题讨论会;跨导;速度;