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白智元; 杜江锋; 陈南庭; 敦少博; 冯志红; 于奇;
中国半导体行业协会;
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 氮化铝铟; 表面处理工艺; 直流特性; 栅漏电;
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:TCAD仿真功能可用于高级AlGaN / GaN HEMT器件的栅极泄漏电流分析
机译:导通态栅极偏置引起p-GaN栅极AlGaN / GaN功率器件泄漏电流增加的机理
机译:肖特基栅极AlGaN / GaN HEMT器件的直流响应高温特性的分析模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
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