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不同熔体配比的Inp晶片FT-IR测试分析

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该文采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内分别合成了富铟、近化学配比、富磷的InP熔体，利用液封直拉法（LEC）分别从不同化学计量比条件下的IsP熔体中生长InP单晶材料。对材料进行了村立叶变换红外吸收谱（FT-IR）的测试。测试结果表明：①本文采用原位磷注入合成LEC生长的InP晶体含有相对较高浓度的氢的复合体，以至于室温条件下己能检测到2316cm-1氢的局域振动模（H-LVM）；②2316cm-1蜂的强度随富铟，近化学配比，富磷熔体化学计量比条件的变化逐渐增强。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|146-149|共4页
会议地点宜昌
作者
陈旭东; 孙聂枫;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
熔体配比; Inp晶片; FT-IR测试分析;

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