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抗Y剂量率的GaAs材料技术研究

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该文认为提高GaAs材料的抗Y射线剂量率性能，也就是减小当y射线照射半导体器件时基体材料的电离效应和位移效应，关键在于对基体材料进行晶格加固和尽量提高基体材料的纯度。因此研究人员采用高压原位合成LEC拉晶工艺进行等电子掺杂来加固晶体的晶格；同时采用原位提纯工艺提高材料的纯度；特别是采取了一系列的降低C浓度的措施，使得研制的SI—GaAs单晶材料中的C浓度降低了半个数量级，单晶的电子迁移率也相应地有了很大的提高。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|150-153|共4页
会议地点宜昌
作者
齐德格; 赖占平;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类材料;
关键词
抗Y剂量率; GaAs材料;

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