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InAsHall器件和GaAsHall器件的性能比较

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研究人员利用在GaAs衬底上MBE生长的高迁移率的InAs薄膜，成功地制备了InAsHall器件。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|213-215|共3页
会议地点宜昌
作者
周宏伟;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类半导体技术;
关键词
InAsHall器件;

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