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GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究

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该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流量对这种非线性关系影响。

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来源
《全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议》|1998年|109-113|共5页
会议地点宜昌
作者
徐大鹏; 杨辉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
GaAs衬底; MOCVD; 生长立方相GaN材料; 生长速率;

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