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陈修治;
中国电子学会;
半导体材料;
机译:直拉硅单晶生长过程中由直径波动引起的热应力的各向异性研究
机译:用直拉法分析硅单晶生长过程中点缺陷和腔缺陷形成能的第一性原理(掺杂类型和浓度依赖性)
机译:硅单晶直拉生长过程中氧偏析的统计热力学模型
机译:直拉硅单晶生长过程中氧气控制的数值分析
机译:用直拉法研究激光晶体生长过程中的晶体开裂和熔体夹杂
机译:在青霉素诱导的副流感嗜血杆菌的原生质体生长过程中功能性电子传输系统的形成
机译:Marangoni在材料工程中的影响。 Marangoni在硅单晶生长过程中的影响。
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:控制CZ生长过程中CZ生长的硅单晶侧表面引起的氧簇聚集和点缺陷的形成
机译:LEC(液体包封的直拉斯基)法改善高质量复合半导体单晶生长过程中的热环境的方法
机译:直拉晶体生长过程中用于称重晶体的设备
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