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汪玲; 周琦; 鲍旭; 牟靖宇; 施媛媛; 刘朝阳; 陈万军; 张波;
中国半导体行业协会;
功率二极管; 氮化镓铝; 氮化镓; 结终端; 凹槽栅技术; 混合阳极;
机译:具有MIS门控混合阳极的高反向阻断和低启动电压AlGaN / Si-GaN侧向功率二极管
机译:高性能超薄屏障AlGaN / GaN杂交阳极二极管,具有Al 2 Oi栅极电介质和原位Si₃n₄₄钝化
机译:超薄屏障AlGaN / GaN混合 - 阳极二极管,具有零偏置微波混合器的优化阻挡厚度
机译:具有端接混合阳极的高性能AlGaN / GaN功率二极管
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:双异质结硅衬底上AlGaN / GaN肖特基势垒二极管的理论和实验研究
机译:高性能且稳定的200mm硅衬底上的无金AlGaN / GaN横向功率二极管
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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