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徐茵;
中国电子学会;
氮化镓;
机译:使用ECR微波等离子体氮源的MBE生长的Fe-GaN-Fe三层结构中的隧道光谱
机译:使用岛状GaN缓冲剂在蓝宝石衬底上生长GaN晶体,该GaN缓冲剂是通过重复进行薄层低温沉积和射频等离子体分子束外延退火而形成的
机译:外延技术从等离子体氮源分子束中生长GaN层的机理
机译:MBE使用ECR微波等离子体氮源生长的Fe-GaN-Fe三层结构中的隧道光谱学
机译:低温金属调制外延生长GaN的光致发光测量。
机译:氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:通过等离子体辅助原子层沉积对GaN薄膜的低温生长的基质影响
机译:GaN的ECR,ICp和RIE等离子体蚀刻
机译:-以活化氮为氮源的MOCVD法生长-族金属氮化物薄膜
机译:产生ECR等离子体的装置以及采用相同的磁控溅射法沉积膜的装置
机译:等离子体发生器,氮源制造设备,营养液供应设备,养分系统,植物培养系统,氮源制造方法和减少二氧化碳的方法
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