ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响

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该论文对ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN膜过程中各个阶段等离子体的电子温度、电子能量分布、空间电位、电子(离子(密度以及粒子种类等微参数进行了研究,并进一步探讨了对衬底预处理的影响. 实验证明衬底的预处理对立方GaN外延生长的速度和质量是置关重要的.因此,了解等离子体预处理(清洗、氮化)过程中氢、氮等离子体的微参数对改进实验是有必要的.该论文组建了一套静电探针数据采集系统,并设计了配套的数据采集与处理软件. 通过此系统对ECR_PAMOCVD外延生长立方FaN过程中的等离子体不同条件下的部分参数(电子温度、电子能量分布分、空间电位、电子/离子密度)的变化情况进行了测量.

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作者
王富国;
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作者单位

大连理工大学;

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授予单位大连理工大学;
学科半导体器件与微电子技术
授予学位硕士
导师姓名徐茵;
年度 2000
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
ECR_PAMOCVD; C_GaN;

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