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抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法

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本公开提供了一种抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法，包括：步骤1：选择一GaN衬底；步骤2：在GaN衬底正面制备第一临时保护层；步骤3：在GaN衬底背面制备第二临时保护层；步骤4：去除步骤2中在GaN衬底正面制备的第一临时保护层；步骤5：清洗GaN衬底后，在生长腔室将步骤4制备的GaN衬底外延生长制备外延结构；步骤6：去除步骤3中在GaN衬底背面制备第二临时保护层，清洗干净外延片。本公开有利于提升外延过程中外延片的温度均匀性和外延材料性能，以及降低由于衬底分解对于后续器件工艺制备的影响。

著录项

公开/公告号CN111463109A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN202010288020.9
发明设计人王晓亮;储佳焰;肖红领;姜丽娟;王权;冯春;王茜;李巍;刘宏新;
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申请日2020-04-13
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 11:32:46

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-21

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20200413

实质审查的生效
2020-07-28

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