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陈俊;
离子源;
机译:通过Mevva离子源将碳离子注入硅中形成3C-SIC并进行表征
机译:通过MEVVA注入形成的掺-二氧化硅薄膜的1540 nm光致发光的最佳硅离子剂量
机译:使用电感耦合等离子体源以低能量和高剂量率对多晶硅CMOS薄膜晶体管进行等离子注入氢化
机译:通过使用MEVVA离子源将碳离子注入到硅中来形成/ spl beta / -SiC薄层
机译:高剂量离子注入硅的激光加工:固相体系。
机译:高Z注入材料上平坦与非平坦兆伏X射线束的剂量学特性研究。
机译:高剂量强流Ti注入不锈钢的MÖssbauer效应研究
机译:高剂量氧注入硅的微观结构及其对注入条件的依赖性
机译:使用凹入栅电极和高剂量漏极注入在集成电路结构中的MOS器件的沟道区和重掺杂源极/漏极接触区之间形成梯度掺杂轮廓区
机译:通过在掩埋氧化物膜上形成多晶硅层,并将杂质注入第二硅外延层和多晶硅层中以形成源/漏区,来制造半导体器件
机译:沟道功率晶体管层状沟槽功率晶体管的制造方法,涉及选择注入能量和剂量,以使剂量的主要部分位于源电极下方,并降低接触的夹点电阻
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