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双P型电极LED发光器件

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GaN为主导的Ⅲ-N半导体发光二极管(LED)是目前半导体固态照明中最重要的器件.其具有发光效率高、禁带宽度可调、稳定性好等优势.目前的GaN基LED主要包括垂直结构及平面电极两种,但它们的制备过程都较复杂,工艺窗口敏感,包括多次光刻、电极制备、材料刻蚀等.本文中，提出了一种相对简单的LED制备过程。通过一次光刻及蒸镀Ni/Au，制备了双P型环形电极，实现了LED发光。首先，通过常规的MOCVD生长得到N型GaN/多量子阱(MQWs)/P型GaN的复合薄膜结构；再通过一次光刻得到同心圆环图形；最后金属磁控溅射的方法沉积得到Ni/Au( lOnm/50nm)电极，电极结构如图1(a)所示，大环的半径为250微米，而小环半径为100微米。

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来源
《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》|2015年|237-238|共2页
会议地点苏州
作者
龙浩; 曾勇平; 张保平;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN312.8;
关键词
发光二极管; 氮化镓; 制备工艺; 发光效率;

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